[发明专利]磷光体转换IR LED无效

专利信息
申请号: 201080036546.2 申请日: 2010-06-15
公开(公告)号: CN102804423A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: W.R.帕波波特;J.凯恩;K.T.卡斯特利诺 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元;卢江
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 磷光体 转换 ir led
【权利要求书】:

1.一种斯托克斯辐射发射器件,包括:

a)光源,以及

b)光源上的能量下转换磷光体材料,该磷光体材料包括至少一个红外辐射发射磷光体,其吸收从所述光源发射的光能并响应于所述吸收的光能发射红外辐射。

2.权利要求1的斯托克斯辐射发射器件,其中,所述光源发射具有从电磁波谱的紫外线至近红外区的波长的光能。

3.权利要求1的斯托克斯辐射发射器件,其中,所述光源包括一个或多个发射紫外线至近红外光的发光二极管。

4.权利要求1的斯托克斯辐射发射器件,其中,所述光源包括一个或多个发光二极管,每个包括由砷化镓、铝镓砷、氮化镓、铟镓氮、铝镓氮、铝镓磷、镓砷磷、磷化镓、铝镓铟氮或其组合形成的半导体。

5.权利要求1的斯托克斯辐射发射器件,其中,所述磷光体材料包括敏化剂、掺杂剂或敏化剂和掺杂剂两者,其中,所述敏化剂包括能够从光源吸收所述光能且能够将所述光能非辐射地传递至掺杂剂的物质,并且掺杂剂包括从光源、敏化剂或光源和敏化剂两者吸收光能并响应于所述吸收的光能发射辐射的物质。

6.权利要求1的斯托克斯辐射发射器件,其中,所述磷光体材料包括一个或多个稀土元素掺杂石榴石、一个或多个稀土元素掺杂铁榴石、用一个或多个稀土元素掺杂的一个或多个混合石榴石、一个或多个稀土元素掺杂硫氧化物、一个或多个稀土元素掺杂氟化物、一个或多个稀土元素掺杂氟铝钙锂石、用稀土发射元素掺杂的至少一个石榴石宿主磷光体、用铬和可选地一个或多个光子发射稀土元素掺杂的至少一个石榴石宿主磷光体、用铁和可选地一个或多个光子发射稀土元素掺杂的至少一个石榴石宿主磷光体、钇镓石榴石、钇铝石榴石或其组合。

7.权利要求1的斯托克斯辐射发射器件,其中,所述斯托克斯辐射发射器件是发光二极管组件,包括;

a)安装引线,其包括凹陷杯和引线,其中,所述凹陷杯可选地包括能够反射紫外线至红外辐射的反射金属,

b)光源,其中,所述光源包括发光二极管半导体芯片,其包括在被电能激励时发射具有在从电磁波谱的紫外线至近红外区范围内的波长的光,所述发光二极管半导体芯片被安装在安装引线的凹陷杯中并具有被电连接到安装引线的电极,以及

c)在所述发光二极管半导体芯片上的磷光体材料。

8.权利要求7的斯托克斯辐射发射二极管组件,还包括填充凹陷杯并覆盖发光二极管半导体芯片的红外辐射透明材料。

9.权利要求7的斯托克斯辐射发射二极管组件,还包括邻近于发光二极管半导体芯片和磷光体材料两者定位的光学滤波器,该光学滤波器对于红外辐射而言是透明的且能够阻挡从发光二极管半导体芯片发射的光的传输。

10.权利要求7的斯托克斯辐射发射二极管组件,还包括邻近于发光二极管半导体芯片定位的准直透镜,其能够减少从所述磷光体材料发射的红外辐射的角发散。

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