[发明专利]等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法

权利要求书

1.一种等离子体CVD装置，具备成膜室、配设在该成膜室的被成膜基板载置用的平台部、以及以与该平台部对置的方式配设在所述成膜室的等离子体电极，其特征在于，

所述等离子体电极具有：

主电极部，设置有工艺气体导入孔；

气体喷板部，具有用于将工艺气体吐出到所述平台部侧的多个气体吐出孔，安装于所述主电极部中的所述平台部侧，并在与该主电极部之间形成气体扩散空间；

气体扩散板，具有用于所述工艺气体流通的多个气体流通孔，以与所述气体喷板部相互对置的方式配置于所述气体扩散空间内；以及

多个传热柱部，配置于所述气体扩散空间内，穿过气体流通孔并将所述气体喷板部和所述主电极部热连接，

在所述气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的所述传热柱部的周面之间形成有空隙。

2.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

所述主电极部和所述传热柱部由1种材料一体成形。

3.根据权利要求1或者2所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

在所述主电极部的内部，形成了用于使制冷剂流过而对该主电极部进行冷却的流路。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

所述传热柱和喷板通过螺钉固定，所述螺钉沉入地安装到设置于喷板的平台侧表面的锪孔，并且对所述锪孔设置了盖子。

5.一种等离子体电极，其特征在于，具备：

主电极部，设置有工艺气体导入孔；

气体喷板部，与所述主电极部对置配置成在与所述主电极部之间形成气体扩散空间，设置有多个气体吐出孔，该多个气体吐出孔吐出经由所述工艺气体导入孔流入到所述气体扩散空间的工艺气体；

气体扩散板，以与所述气体喷板部对置的方式配置于所述气体扩散空间内，设置有使所述工艺气体流通的多个气体流通孔；以及

多个传热柱部，穿过所述气体流通孔并将所述气体喷板部和所述主电极部热连接，在与所述气体流通孔之间设置了间隙。

6.根据权利要求5所述的等离子体电极，其特征在于，

所述气体流通孔和所述间隙被配置成俯视时不相互重叠。

7.一种半导体膜的制造方法，其特征在于，是使用了权利要求1～4中的任意一项所述的等离子体CVD装置的半导体膜的制造方法，

以使所述气体喷板部与基板的间隔成为10mm以下的方式将基板载置在所述平台部，并在所述基板上堆积硅薄膜。