[发明专利]物体检查系统和方法有效
申请号: | 201080034422.0 | 申请日: | 2010-07-02 |
公开(公告)号: | CN102472962A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | V·伊万诺夫;A·邓鲍夫;V·班尼恩;L·斯卡克卡巴拉兹;N·伊欧萨德 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F1/22;G01N21/64;G01N21/95 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 物体 检查 系统 方法 | ||
1.一种物体检查方法,包括下列步骤:
用辐射束照射物体,
用时间分辨光谱术分析来自所述物体的次级光子发射,和
如果检测到时间分辨光谱信号与在没有微粒存在时物体发射的信号不同,则确定存在微粒。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述用时间分辨光谱术分析来自所述物体的次级光子发射的步骤包括记录光致发光信号。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中,被检查的物体包括图案形成装置。
4.如权利要求3所述的方法,其中,所述图案形成装置是掩模版或EUV掩模版。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法,还包括用能量分辨光谱分析分析来自所述物体的次级光子发射的步骤。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法,用于确定所述物体的表面上存在的金属、金属氧化物或有机物微粒。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法,还包括噪声减小技术。
8.如权利要求7所述的方法,其中,所述噪声减小技术包括用以从所发射的光谱去除噪声的相关技术。
9.如权利要求7所述的方法,其中,所述噪声减小技术包括混沌理论方法。
10.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,用辐射束照射所述物体的步骤包括以垂直入射照射所述物体。
11.如权利要求10所述的方法,其中,使用施瓦兹希尔德型收集器收集辐射。
12.如权利要求1-9中任一项所述的方法,其中,用辐射束照射所述物体的步骤包括从多于一个方向提供离轴照射。
13.如权利要求12所述的方法,其中,从四个不同的方向提供所述离轴照射。
14.如权利要求12或13所述的方法,其中,所述离轴照射设置为环形辐射束。
15.如权利要求12-14中任一项所述的方法,其中,用辐射束照射所述物体的步骤包括将所述辐射束分成多个分开的束,每个分开的束以相对于其他分开的束不同的角度入射到所述物体上。
16.如前述权利要求中任一项所述的方法,在所述物体的整个第一区域上执行所述方法;并且如果检测到微粒,对于所述第一区域的子部分重复所述方法。
17.如权利要求16所述的方法,包括实施进一步的重复,直到达到想要的空间分辨极限。
18.一种用于检查物体的设备,包括:布置用以发射辐射束到所述物体上的辐射源;和分光计,所述分光计布置成用时间分辨光谱术分析来自所述物体的次级光子发射,并且如果检测到的时间分辨光谱信号与在没有微粒时所述物体发射的信号不同,则确定存在微粒。
19.如权利要求18所述的设备,其中,所述分光计布置成相对于光致发光信号分析时间分辨光谱。
20.如权利要求18或19所述的设备,其中,被检查的物体包括图案形成装置。
21.如权利要求20所述的设备,其中,所述图案形成装置是掩模版或EUV掩模版。
22.如权利要求18-21中任一项所述的设备,其中,所述分光计还布置成用时间分辨光谱术分析来自所述物体的次级光子发射。
23.如权利要求18-22中任一项所述的设备,还包括噪声减小模块。
24.如权利要求23所述的设备,其中,所述噪声减小模块包括相关器。
25.如权利要求23所述的设备,其中,所述噪声减小模块包括混沌理论模块。
26.如权利要求18-25中任一项所述的设备,其中,所述辐射源布置成用辐射束以垂直入射照射所述物体。
27.如权利要求26所述的设备,包括用于收集辐射的施瓦兹希尔德型收集器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080034422.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备