[发明专利]场发射系统和方法

权利要求书

1.一种用于产生磁场发射结构的方法，所述方法包括下列步骤：

产生多个磁场；

使可磁化材料上的多个位置暴露于所述多个磁场以创建多个磁场源，所述多个磁场源具有根据对应于力函数的代码的元素的极性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述力函数对应于空间力函数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述代码包括补码或反补码中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个磁场源的场强度根据所述代码的所述代码的元素。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个磁场源的所述场强度变化以产生基本上为零的旁瓣。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述代码包括零旁瓣代码。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，产生多个磁场包括向感应元件施加电流。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述感应元件包括线圈或具有中断的传导板中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述线圈耦合至磁芯。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述磁芯包括镍铁高导磁合金、坡莫合金、铁芯硅钢、或金属玻璃磁性合金的其中之一。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述感应元件包括具有中断的多个传导板，所述传导板配置为产生多个线圈匝。

12.一种用于产生磁场发射结构的系统，包括：

可磁化材料；

用于产生多个磁场的导磁体，所述导磁体包括感应元件，所述感应元件使所述可磁化材料上的多个位置暴露于所述多个磁场以创建多个磁场源，所述多个磁场源具有根据对应于力函数的代码的元素的极性。

13.根据权利要求12所述的系统，所述导磁体还包括：

高压DC电源；

充电开关；

充电电阻；

一个或多个反向二极管；

一个或多个储能电容器；

可控硅整流器；以及

脉冲变压器。

14.根据权利要求13所述的系统，其中，所述导磁体还包括配置在桥接电路中的多个可控硅整流器和多个脉冲变压器。

15.根据权利要求12所述的系统，其中，所述导磁体是单极导磁体或双极导磁体中的一种。

16.根据权利要求12所述的系统，其中，所述多个磁场源的场强度能变化。

17.根据权利要求12所述的系统，其中，所述感应元件包括线圈或具有中断的传导板中的至少一种。

18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述线圈耦合至磁芯。

19.根据权利要求18所述的系统，其中，所述磁芯包括镍铁高导磁合金、坡莫合金、铁芯硅钢、或金属玻璃磁性合金的其中之一。

20.根据权利要求17所述的系统，其中，所述感应元件包括具有中断的多个传导板，所述传导板配置为产生多个线圈匝。