[发明专利]太阳能电池用透明导电性基板及太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池用透明导电性基板，为在衬底上至少具有氧化锡层的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，在所述氧化锡层的非所述衬底侧的表面上具有凹凸，在具有所述凹凸的表面上具有以钛为主成分的氧化物，所述氧化物是平均直径为1～100nm的粒状，且以密度为10～100个/μm²的比例具有所述氧化物。

2.如权利要求1所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述氧化物的平均直径为10～50nm。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述氧化物的密度为20～70个/μm²。

4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，使所述衬底的温度达到500～550℃来形成所述氧化锡层，在维持形成所述氧化锡层时的所述衬底的所述温度的状态下在所述氧化锡层上形成所述氧化物。

5.如权利要求1所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述氧化锡层的凹凸的凸部与凹部的高低差为0.1～0.5μm，所述凹凸的凸部间的间隔为0.1～0.75μm，在氧化锡层的具有凹凸的表面上以密度为10～100个/μm²的比例形成平均直径为1～100nm的粒状的以钛为主成分的氧化物的粒子。

6.一种太阳能电池，其特征在于，使用了权利要求1～5中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板。

7.一种太阳能电池用透明导电性基板的制造方法，为制造权利要求1所述的太阳能电池用透明导电性基板的太阳能电池用透明导电性基板的制造方法，其特征在于，

至少包括在所述衬底上形成所述氧化锡层的氧化锡层形成工序，以及在所述氧化锡层的表面上形成所述氧化物而获得太阳能电池用透明导电性基板的氧化物形成工序，

所述氧化锡层形成工序和所述氧化物形成工序中的所述衬底的温度为500～550℃，并将该两工序之间的所述衬底的温度维持在500～550℃。

8.如权利要求7所述的太阳能电池用透明导电性基板的制造方法，其特征在于，形成具有所述凹凸表面的氧化锡层的氧化锡层形成工序为常压CVD法，在用该常压CVD法形成的具有凹凸表面的氧化锡层表面上形成以钛为主成分的氧化物粒子的氧化物形成工序为常压CVD法，在维持所述氧化锡层形成工序中的形成氧化锡时的衬底的温度的状态下在所述氧化锡层上形成所述氧化物形成工序中的氧化物。