[发明专利]高分子发光元件无效
| 申请号: | 201080033649.3 | 申请日: | 2010-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN102473855A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 山内掌吾 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/26 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高分子 发光 元件 | ||
1.一种高分子发光元件,其具有:
阴极;
阳极;以及
位于该阴极与该阳极之间的包含高分子化合物的功能层及包含有机高分子发光化合物的发光层,
该阴极自该发光层侧依次具有第1阴极层及第2阴极层,该第1阴极层包含选自由氟化钠、氟化钾、氟化铷及氟化铯构成的组中的1种以上金属化合物,该第2阴极层包含选自由碱土金属及铝构成的组中的1种以上金属,
该功能层中包含的高分子化合物为具有式(1)所示的重复单元的高分子化合物,
[化1]
式中,Ar1、Ar2、Ar3及Ar4彼此相同或不同地表示可以具有取代基的亚芳基或可以具有取代基的2价杂环基,Ar5、Ar6及Ar7彼此相同或不同地表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的1价杂环基,n及m彼此相同或不同地表示0或1;在n为0的情况下,Ar1中包含的碳原子与Ar3中包含的碳原子可以直接键合,或者,也可以介由氧原子或硫原子键合。
2.根据权利要求1所述的高分子发光元件,其中,
所述功能层中包含的所述高分子化合物为进一步具有式(2)所示的重复单元的有机高分子化合物,
[化2]
式中,Ar10及Ar11彼此相同或不同地表示烷基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的1价杂环基。
3.根据权利要求1或2所述的高分子发光元件,其中,
所述碱土金属为镁或钙。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的高分子发光元件,其中,
所述阴极自该发光层侧依次具有第1阴极层、第2阴极层及第3阴极层,该第2阴极层包含选自由镁及钙构成的组中的1种以上碱土金属,该第3阴极层由导电性物质形成。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的高分子发光元件,其中,
所述第1阴极层的膜厚为0.5nm以上且小于6nm。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的高分子发光元件,其中,
所述功能层为设置在阳极与发光层之间的空穴输送层,所述高分子化合物为空穴输送化合物。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的高分子发光元件,其中,
所述m及n表示0,Ar1、Ar3及Ar7彼此相同或不同地表示可以具有取代基的苯基。
8.根据权利要求2~7中任一项所述的高分子发光元件,其中,
所述Ar10及Ar11彼此相同或不同地表示碳原子数5~8的烷基。
9.一种高分子发光显示装置,其具有权利要求1~8中任一项所述的高分子发光元件作为像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





