[发明专利]离子卤化物的中等温度再利用的方法

权利要求书

1.一种用于在生产元素材料中再利用离子卤化物的方法，所述方法包含：

将离子卤化物、待生成元素的氧化物、低氧化物或卤氧化物中的至少一种和含水酸溶液的混合物在中等温度下反应以形成复合前体盐和盐；

从所述复合前体盐形成前体卤化物；

将所述前体卤化物还原成所述待生成元素和所述离子卤化物；以及

使所述离子卤化物返回至所述反应步骤的所述混合物中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述离子卤化物包含以下中的至少一种：碱金属卤化物、碱土金属卤化物、铝(Al)的卤化物或锌(Zn)的卤化物。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述离子卤化物包含氟化钠(NaF)。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化物包括以下中的至少一种：硼(B)、铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、钒(V)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、铀(U)或钚(Pu)。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述待生成元素的所述卤氧化物包含Ti、V、Zr、Nb、Mo、Ta、W、U或Pu的卤氧化物。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述含水酸溶液包含以下中的至少一种：卤化物的酸、硫酸(H₂SO₄)、硝酸(HNO₃)或有机酸。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述含水酸溶液包含盐酸(HCl)。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述复合前体盐包含荧光金属化合物。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述前体卤化物包括以下中的至少一种：硼(B)、铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、钒(V)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、铀(U)或钚(Pu)。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述前体卤化物包含以下中的至少一种：四氟化硅(SiF₄)、四氟化钛(TiF₄)或四氟化铀(UF₄)。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述盐包含来自所述离子卤化物的至少一种元素和来自所述酸的至少一种元素。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述中等温度包含20摄氏度(℃)到250℃的温度。

13.如权利要求1所述的方法，其中从所述复合前体盐形成所述前体卤化物包含：

在中等温度下将所述复合前体盐与强酸混合。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述强酸包含硫酸(H₂SO₄)。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述中等温度包含20摄氏度(℃)到250℃的温度。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述复合前体盐在原位形成且所述前体卤化物在原位由所述复合前体盐制成。

17.一种用于在生产复合前体盐中再利用离子卤化物的方法，所述方法包含：

在将前体卤化物还原以生成元素期间形成离子卤化物；

将具有所述元素的氧化物、低氧化物或卤氧化物中的至少一种和含水酸溶液的混合物的所述离子卤化物在中等温度下再循环；以及

形成所述复合前体盐。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述离子卤化物包含以下中的至少一种：碱金属卤化物、碱土金属卤化物、铝(Al)的卤化物或锌(Zn)的卤化物。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述金属卤化物包含氟化钠(NaF)。

20.如权利要求17所述的方法，其中所述前体卤化物包括以下中的至少一种：硼(B)、铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、钒(V)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、铀(U)或钚(Pu)。