[发明专利]具有带垂直磁化取向的基准层的磁性叠层有效
| 申请号： | 201080032404.9 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102473450A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | Z·袁凯;G·郑;Z·文忠;J·文俊;X·海文 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 磁化 取向 基准 磁性 | ||
1.一种磁性单元，包括：
具有自由磁化取向的铁磁性自由层；
第一铁磁性钉扎基准层，所述第一铁磁性钉扎基准层具有与所述自由磁化取向平行或逆平行的第一基准磁化取向；
位于所述铁磁性自由层和所述第一铁磁性钉扎基准层之间的第一氧化物阻挡层；以及
第二铁磁性钉扎基准层，所述第二铁磁性钉扎基准层具有与所述第一基准磁化取向垂直的第二基准磁化取向，所述铁磁性自由层位于所述第一铁磁性钉扎基准层和所述第二铁磁性钉扎基准层之间。
2.如权利要求1所述的磁性单元，其特征在于，所述铁磁性自由层、第一铁磁性钉扎基准层和第二铁磁性钉扎基准层具有面内的磁各向异性。
3.如权利要求1所述的磁性单元，其特征在于，还包括位于所述铁磁性自由层和所述第二铁磁性钉扎基准层之间的第二氧化物阻挡层。
4.如权利要求1所述的磁性单元，其特征在于，所述第一铁磁性钉扎基准层包括合成的反铁磁性元件。
5.如权利要求1所述的磁性单元，其特征在于，所述第二铁磁性钉扎基准层包括合成的反铁磁性元件。
6.如权利要求1所述的磁性单元，其特征在于，所述铁磁性自由层由于流过所述磁性单元的电流诱发的自旋扭矩转移而在高阻数据状态和低阻数据状态之间切换。
7.如权利要求4所述的磁性单元，其特征在于，所述第二铁磁性钉扎基准层包括永磁性。
8.如权利要求1所述的磁性单元，其特征在于，所述第一铁磁性钉扎基准层包括合成的反铁磁性元件，所述合成的反铁磁性元件具有第一阻挡温度，而所述第二铁磁性钉扎基准层包括合成的反铁磁性元件，所述合成的反铁磁性元件具有低于所述第一阻挡温度的第二阻挡温度。
9.如权利要求1所述的磁性单元，其特征在于，所述自由磁化取向垂直于所述第二基准磁化取向。
10.一种自旋扭矩转移磁性单元，包括：
具有面内自由磁化取向的铁磁性自由层，所述铁磁性自由层由于流过所述磁性单元的电流诱发的自旋扭矩转移而在高阻数据状态和低阻数据状态之间切换；
第一铁磁性钉扎基准层，所述第一铁磁性钉扎基准层具有与所述自由磁化取向平行或逆平行的第一基准磁化取向；
位于所述铁磁性自由层和所述第一铁磁性钉扎基准层之间的第一氧化物阻挡层；
第二铁磁性钉扎基准层，所述第二铁磁性钉扎基准层具有与所述自由磁化取向垂直的面内第二基准磁化取向；以及
位于所述铁磁性自由层和所述第二铁磁性钉扎基准层之间的第二氧化物阻挡层。
11.如权利要求10所述的自旋扭矩转移磁性单元，其特征在于，所述第一铁磁性钉扎基准层包括合成的反铁磁性元件。
12.如权利要求10所述的自旋扭矩转移磁性单元，其特征在于，所述第二铁磁性钉扎基准层包括合成的反铁磁性元件。
13.如权利要求11所述的自旋扭矩转移磁性单元，其特征在于，所述第二铁磁性钉扎基准层包括永磁性。
14.如权利要求10所述的自旋扭矩转移磁性单元，其特征在于，所述第一铁磁性钉扎基准层包括合成的反铁磁性元件，所述合成的反铁磁性元件具有第一阻挡温度，而所述第二铁磁性钉扎基准层包括合成的反铁磁性元件，所述合成的反铁磁性元件具有低于所述第一阻挡温度的第二阻挡温度。
15.如权利要求10所述的自旋扭矩转移磁性单元，其特征在于，所述自由磁化取向垂直于所述第二基准磁化取向。
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