[发明专利]用于垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金和溅射靶材料

说明书

[相关申请的交叉引用]

本申请要求2009年6月10日提交的日本专利申请2009-139151的优先权，该日本专利申请的全部内容都通过引用结合在此。

[技术领域]

本申请涉及一种用于垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金，及其溅射靶材料。

[背景技术]

近年来，磁记录技术已经有了显著的进步，并且在磁记录介质中的记录密度的提高由于增加驱动器容量而进展。例如，垂直磁记录系统已经投入到实际使用中，其相比于通常使用的纵向磁记录系统实现了更高的记录密度。垂直磁记录系统是一种易磁化轴在垂直于垂直磁记录介质的磁性膜的介质表面的方向上取向并且适合用于高记录密度的系统。对于垂直磁记录系统，已经开发了一种具有记录灵敏度增加的磁性记录膜层和软磁性膜层的双层记录介质。作为磁记录膜层，通常使用CoCrPt-SiO₂-系合金。

至于软磁性膜层，另一方面，已知有基于Co或Fe的软磁性元素的合金，所述合金中添加了Zr、Hf、Ta、Nb和B以用于改善非晶形性质。例如，提出了一种如在专利文献1中公开的用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的合金，如在专利文献2中公开的一种Co-Fe-系合金溅射靶材料及其制备方法。

对于在这种垂直磁记录介质中的软磁膜层，需要高饱和磁通量密度、高非晶形性质和高的耐腐蚀性。此外，近年来，软磁性膜层更需要硬度，以降低由磁记录介质用磁盘和读/写头之间的接触所引起的磁盘损伤。

[引用清单]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利公开公布2008-299905

[专利文献2]日本专利公开公布2008-189996

[发明内容]

申请人已经发现，能够获得具有高饱和磁通密度、高非晶形性质和高耐腐蚀性的合金，以及通过将B量与Ta和/或Nb量的比率设定为某一比率，该合金甚至比在专利文献1中提出的合金具有更高的硬度。

因此，本发明的目的是提供一种具有优异饱和磁通量密度、非晶形性质、耐腐蚀性和硬度的垂直磁记录介质用的软磁性合金；一种用于制备所述合金的膜的溅射靶材料；以及一种具有由所述合金制备的软磁性膜层的垂直磁记录介质。

根据本发明的第一实施方案，提供一种用于在垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金，其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的如下各项：

Co+Fe+Ni：70至92％，条件是Ni含量可以为0；

Ta：1至8％；以及

B：多于7％且不多于20％，

其中CoFeNi-系合金的组成(原子％)满足下列比率：

Co/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.9；

Fe/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.65；

Ni/(Co+Fe+Ni)：0至0.35；以及

B/Ta：1至8。

根据本发明的第二实施方案，提供了一种用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金，其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的下列各项：

Co+Fe+Ni：70至92％，条件是Ni含量可以为0；

Nb+Ta：1至8％；以及

B：多于7％并且不多于20％，

其中所述CoFeNi-系合金的组成(原子％)满足下列比率：

Co/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.9；

Fe/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.65；

Ni/(Co+Fe+Ni)：0至0.35；以及

B/(Nb+Ta)：1至8。

根据本发明的第三实施方案，提供一种用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金，其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的下列各项：

Co+Fe+Ni：70至92％，条件是Ni含量可以为0；

Zr+Hf+Nb+Ta：1至8％；

B：多于7％并且不多于20％；

Zr+Hf：0至小于2％；以及

Al+Cr：0至5％，

其中所述CoFeNi-系合金的组成(原子％)满足下列比率：

Co/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.9；

Fe/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.65；

Ni/(Co+Fe+Ni)：0至0.35；和

B/(Nb+Ta)：1至8。