[发明专利]层合体及其制造方法有效
申请号: | 201080032100.2 | 申请日: | 2010-07-12 |
公开(公告)号: | CN102470637A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 高木斗志彦;福本晴彦 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;B32B27/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合体 及其 制造 方法 | ||
1.一种层合体,所述层合体包括基材和形成于所述基材上的含硅膜,
所述含硅膜具有由硅原子和氮原子形成的、或者由硅原子、氮原子和氧原子形成的氮高浓度区域,
所述氮高浓度区域如下形成:在实质上不含氧或水蒸气的气氛下,对形成于基材上的聚硅氮烷膜进行能量线照射,将所述膜的至少一部分改性。
2.如权利要求1所述的层合体,其中,所述氮高浓度区域的通过X射线光电子能谱法测定的、下述式表示的氮原子相对于总原子的组成比在0.1以上、1以下的范围内,
式:氮原子的组成比/(氧原子的组成比+氮原子的组成比)。
3.如权利要求1所述的层合体,其中,所述氮高浓度区域的通过X射线光电子能谱法测定的、下述式表示的氮原子相对于总原子的组成比在0.1以上、0.5以下的范围内,
式:氮原子的组成比/(硅原子的组成比+氧原子的组成比+氮原子的组成比)。
4.如权利要求1所述的层合体,其中,所述含硅膜的折射率为1.55以上。
5.如权利要求1所述的层合体,其中,所述氮高浓度区域的通过X射线光电子能谱法测定的氮原子相对于总原子的组成比为1~57原子%。
6.如权利要求1~5中任一项所述的层合体,其中,所述氮高浓度区域形成在所述含硅膜的整个面上。
7.如权利要求1~6中任一项所述的层合体,其中,所述氮高浓度区域具有0.01μm以上0.2μm以下的厚度。
8.如权利要求1所述的层合体,其中,对于所述含硅膜中的通过X射线光电子能谱法测定的氮原子相对于总原子的组成比来说,所述含硅膜的上面侧高于另一面侧。
9.如权利要求1~8中任一项所述的层合体,其中,按照JISK7129测定的水蒸气透过度为0.01g/m2·day以下,所述测定在所述含硅膜的膜厚为0.1μm、温度为40℃、湿度为90%的条件下进行。
10.如权利要求1~9中任一项所述的层合体,其中,所述能量线照射通过等离子体照射或紫外线照射进行。
11.如权利要求10所述的层合体,其中,所述等离子体照射或紫外线照射中,使用惰性气体、稀有气体或还原气体作为照射气体。
12.如权利要求11所述的层合体,其中,作为所述气体种,使用氮气、氩气、氦气、氢气或它们的混合气体。
13.如权利要求10~12中任一项所述的层合体,其中,所述等离子体照射或紫外线照射在真空下进行。
14.如权利要求10~12中任一项所述的层合体,其中,所述等离子体照射或紫外线照射在常压下进行。
15.如权利要求1~14中任一项所述的层合体,其中,所述聚硅氮烷膜为选自全氢聚硅氮烷、有机聚硅氮烷、及它们的衍生物中的1种以上。
16.如权利要求1~15中任一项所述的层合体,其中,所述基材为树脂膜。
17.如权利要求16所述的层合体,其中,所述树脂膜由选自下述树脂组成的组中的至少1种以上的树脂构成,所述树脂为聚烯烃、环状烯烃聚合物、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物、聚苯乙烯、聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚偏1,1-二氯乙烯、聚酰亚胺、聚醚砜、聚丙烯酸、聚芳酯及三乙酰纤维素。
18.如权利要求1~17中任一项所述的层合体,其中,在所述含硅膜的上面、或所述基材与所述含硅膜之间还具有蒸镀膜。
19.如权利要求18所述的层合体,其中,所述蒸镀膜含有选自Si、Ta、Nb、Al、In、W、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce、Ca、Na、B、Pb、Mg、P、Ba、Ge、Li、K、Zr及Sb中的1种以上的金属的氧化物或氮化物或氮氧化物作为主成分。
20.如权利要求18或19所述的层合体,其中,所述蒸镀膜通过物理蒸镀法(PVD法)或化学蒸镀法(CVD法)形成。
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