[发明专利]具有背侧体区连接的绝缘体上半导体

权利要求书

1.一种绝缘体上半导体结构，包括：

导电层；

绝缘层，其位于所述导电层上方，并且与挖掉的绝缘区域中的所述导电层部分地共同垂直延伸；

有源层，其位于所述绝缘层上方，并且包括具有体区的有源器件；以及

体区接触，其对所述导电层和所述体区进行物理连接，并且位于所述挖掉的绝缘区域的第一部分中；

其中，所述导电层将所述体区接触耦接至所述有源层中的接触，所述接触位于所述挖掉的绝缘区域的第二部分中，所述第二部分与所述第一部分是隔开的。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体结构，进一步包括：

电路分支，其包括所述体区接触和所述接触；

其中所述电路分支将所述有源器件的源极连接至所述有源器件的体区。

3.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体结构，进一步包括：

电路分支，其包括所述体区接触和所述接触；

其中所述电路分支将所述有源器件的栅极连接至所述有源器件的体区。

4.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体结构，进一步包括：

可变阻抗电路分支，其包括所述体区接触和所述接触；

其中所述可变阻抗电路分支配置成在所述有源器件处于导通状态时具有高阻抗，并且所述可变阻抗电路分支配置成在所述有源器件不处于导通状态时具有低阻抗。

5.根据权利要求4所述的绝缘体上半导体结构，所述可变阻抗电路分支进一步包括：

所述有源器件的栅极区域；

其中所述可变阻抗电路分支在所述有源器件处于断开状态时将所述体区锁定至所述栅极电压。

6.根据权利要求5所述的绝缘体上半导体结构，其中：

所述体区接触是欧盟的；

所述接触直接位于所述有源器件中形成的二极管下面；以及

所述二极管在所述有源器件处于导通状态时反向偏置。

7.根据权利要求5所述的绝缘体上半导体结构，其中所述体区接触是一个热载流子二极管结。

8.根据权利要求7所述的绝缘体上半导体结构，进一步包括所述有源层上的操纵晶圆。

9.根据权利要求8所述的绝缘体上半导体结构，进一步包括：

在所述体区接触上方形成的着陆焊盘；

其中所述着陆焊盘由所述体区的更宽区域组成。

10.一种从绝缘体上半导体有源器件的沟道去除不期望的累积的多数载流子的方法，包括步骤：

将所述不期望的累积的多数载流子从所述沟道引导至所述有源器件的体区接触，所述体区接触对导电层和所述有源器件的体区进行物理连接；

通过所述导电层中的电路分支引导所述不期望的累积的多数载流子，所述导电层位于绝缘层下方并且与挖掉的绝缘区域中的所述绝缘层部分地共同垂直延伸；

其中，所述电路分支将所述体区接触耦接至接触，所述体区接触位于所述挖掉的绝缘区域的第一部分中，所述接触位于所述挖掉的绝缘区域的第二隔开的部分中。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括步骤：

在所述有源器件处于导通状态时增大所述电路分支的阻抗；以及

在所述有源器件不处于导通状态时降低所述电路分支的阻抗。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括步骤：提供二极管连接将所述体区接触锁定至所述有源器件的栅极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中通过所述导电层和所述体区的界面形成热载流子二极管。

14.一种制造集成电路的方法，所述方法包括步骤：

在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成有源器件；

从沉积在所述绝缘体上半导体晶圆的背侧上的基板层区域基板材料；

从所述绝缘体上半导体晶圆的背侧去除绝缘材料以形成挖掉的绝缘区域；以及

在所述挖掉的绝缘区域上沉积导电层；

其中所述沉积步骤使所述导电层与所述挖掉的绝缘区域的第一部分中的有源器件的体区物理接触，并且将所述体区耦接至一个接触，所述接触位于所述挖掉的绝缘区域的第二隔开的部分中。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括步骤：形成从所述接触到所述有源器件的源极的电路分支。