[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体装置，具备：

基板；

半导体层层叠体，其包括在所述基板上依次形成的第一氮化物半导体层以及带隙比该第一半导体层大的第二氮化物半导体层；

p型的第三氮化物半导体层，其选择性形成在所述半导体层层叠体上；

第一栅电极，其形成在所述第三氮化物半导体层上；和

第一欧姆电极及第二欧姆电极，分别形成在所述半导体层层叠体上的所述第三氮化物半导体层的两侧，

所述第一栅电极与所述第三氮化物半导体进行肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述第一栅电极、第一欧姆电极及第二欧姆电极由同一材料构成。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述第一栅电极、第一欧姆电极及第二欧姆电极，是钛、铝、钨、钼、铬、锆、铟及硅化钨之中的一个或者是包括其中的两个以上的层叠体。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述第一栅电极的栅极长度方向的宽度与所述第三氮化物半导体层的栅极长度方向的宽度相等。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述第一栅电极和所述第三氮化物半导体层由能够被同一蚀刻气体蚀刻的材料构成。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述第三氮化物半导体层的载流子浓度在1×10¹⁸cm^-3以上且1×10²¹cm^-3以下。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述第二氮化物半导体层具有栅极凹槽，

所述第三氮化物半导体层按照填埋所述栅极凹槽的方式被形成。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，还具备：

p型的第四氮化物半导体层，其形成在所述第一栅电极与所述第二欧姆电极之间，并且相接在所述第二氮化物半导体层上；和

第二栅电极，其形成在所述第四氮化物半导体层上，

所述第二栅电极与所述第四氮化物半导体层进行肖特基接触。

9.一种氮化物半导体装置的制造方法，包括：

工序(a)，形成在基板上依次层叠了第一氮化物半导体层以及带隙比该第一氮化物半导体层大的第二氮化物半导体层的半导体层层叠体；

工序(b)，在所述半导体层层叠体上形成p型的氮化物半导体层之后，通过选择性去除所形成的p型的氮化物半导体层，从而由所述p型的氮化物半导体层形成第三氮化物半导体层；和

工序(c)，在所述半导体层层叠体上的所述第三氮化物半导体层的两侧分别形成第一欧姆电极及第二欧姆电极，同时在所述第三氮化物半导体层上形成第一栅电极。

10.根据权利要求9所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序(c)中，在形成了将形成所述第一栅电极、第一欧姆电极及所述第二欧姆电极的部分露出的抗蚀剂掩模之后，通过进行电极形成膜的堆积和剥离，从而形成所述第一栅电极、第一欧姆电极及所述第二欧姆电极。

11.根据权利要求9所述的氮化物半导体装置的控制方法，其中，

所述电极形成膜是由钛、铝、钨、钼、铬、锆、铟及硅化钨之中的一个构成的膜或是包括其中的两个以上的层叠膜。

12.根据权利要求9所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序(a)之后且所述工序(b)之前，还包括在所述第二氮化物半导体层形成栅极凹槽的工序(d)，

在所述工序(b)中，按照填埋所述栅极凹槽的方式形成所述p型的氮化物半导体层。

13.根据权利要求9所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序(b)中，与所述第三氮化物半导体层隔着间隔地形成p型的第四氮化物半导体层，

在所述工序(c)中，在所述第四氮化物半导体层上形成第二栅电极。