[发明专利]具有增大的提取效率的再发光半导体构造

权利要求书

1.一种器件，其包括：

半导体层的叠堆，所述叠堆包括：

有源区，适于将第一波长λ₁的光转换成第二波长λ₂的光，所述有源区包括至少第一势阱；以及

第一无源区，从所述叠堆的外表面延伸到所述有源区，从所述外表面到所述有源区的距离对应于所述第一无源区的厚度，所述第一无源区的特征在于其内传播的所述第一波长λ₁的光基本上不转换成其他光；

其中，所述叠堆还包括在其中形成的多个凹陷，所述多个凹陷从所述外表面延伸到所述第一无源区内，所述凹陷通过平均凹陷深度来表征，并且其中所述平均凹陷深度为所述第一无源区的厚度的至少50％。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述凹陷具有标称相同的深度。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述平均凹陷深度为所述第一无源区的厚度的至少60％。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述平均凹陷深度为所述第一无源区的厚度的至少70％。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述平均凹陷深度为所述第一无源区的厚度的至少80％。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述平均凹陷深度为所述第一无源区的厚度的至少90％。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述凹陷基本上不延伸到所述有源区内。

8.根据权利要求1所述的器件，其中各个凹陷在平面图中具有二维形状，并且其中所述凹陷具有标称相同的二维形状。

9.根据权利要求1所述的器件，其中各个凹陷在平面图中具有最大横向尺寸，并且其中所述凹陷具有标称相同的横向尺寸。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述叠堆沿基本上平行于参考平面的横向方向延伸，并且其中各个凹陷包括相对于所述参考平面成斜角倾斜的表面。

11.根据权利要求10所述的器件，其中各个凹陷在平面图中具有投影面积，并且其中所述投影面积的至少20％对应于以斜角倾斜的表面。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述投影面积的至少20％对应于以10度到80度范围内的斜角倾斜的表面。

13.根据权利要求10所述的器件，其中各个凹陷在垂直于所述参考平面的局部剖视平面中具有轮廓，并且其中各个凹陷的所述轮廓包括弯曲部分。

14.根据权利要求13所述的器件，其中各个凹陷的所述轮廓包括大致U形的末端。

15.根据权利要求10所述的器件，其中各个凹陷在垂直于所述参考平面的局部剖视平面中具有轮廓，并且其中各个凹陷的所述轮廓包括大致V形的末端。

16.根据权利要求10所述的器件，其中各个凹陷在垂直于所述参考平面的局部剖视平面中具有轮廓，并且其中各个凹陷的所述轮廓包括大致截平的V形末端。

17.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体层叠堆的有源区还包括第一吸收层，所述第一吸收层毗邻所述第一势阱，并且具有大于所述第一势阱的跃迁能量的带隙能量。

18.根据权利要求1所述的器件，其中所述叠堆沿基本上平行于参考平面的横向方向延伸，并且其中位于所述凹陷的至少一些之间的所述外表面的一部分为平坦的并且平行于所述参考平面。

19.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个凹陷具有至少40％的堆积密度，所述堆积密度为当所述外表面在平面图中显示时由所述多个凹陷占据的面积百分比。

20.根据权利要求19所述的器件，其中所述多个凹陷具有至少50％的堆积密度。

21.根据权利要求20所述的器件，其中所述多个凹陷具有至少60％的堆积密度。