[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在基体层的表面形成具有平坦表面的第1绝缘膜的工序；

向上述基体层以离子方式注入剥离用物质来形成剥离层的工序；

在上述第1绝缘膜的表面形成多个遮光膜或者背栅电极的工序；

在上述第1绝缘膜的表面形成第2绝缘膜的工序，该第2绝缘膜覆盖上述遮光膜或者背栅电极，并且具有反映了该遮光膜或者背栅电极的台阶形状的凹凸状的表面；

在相邻的上述遮光膜彼此之间或者相邻的上述背栅电极彼此之间的上述第2绝缘膜的表面形成离上述第1绝缘膜的表面的高度与上述遮光膜或者背栅电极上的上述第2绝缘膜的表面高度相同的伪图案的工序；

在上述第2绝缘膜的表面形成第3绝缘膜的工序，该第3绝缘膜覆盖上述伪图案并且具有平坦表面；

将设置有上述第3绝缘膜的基体层以该第3绝缘膜的平坦表面贴附在支撑基板上的工序；

将贴附在上述支撑基板上的基体层的一部分沿着上述剥离层分离除去的工序；以及

由残留在上述支撑基板上的基体层形成多个构成半导体元件的半导体层而使得该半导体层的至少一部分与上述遮光膜或者背栅电极重叠的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2绝缘膜包括抑制金属离子的透过的保护绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述保护绝缘膜是氮化硅膜。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述第3绝缘膜的工序中，在上述第2绝缘膜的表面形成了绝缘材料层之后，通过对该绝缘材料层的表面进行平坦化来形成上述第3绝缘膜，

上述遮光膜或者背栅电极与上述伪图案的间隔比上述第2绝缘膜的厚度大，且比上述遮光膜或者背栅电极上的上述绝缘材料层的厚度小。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具有在形成上述第1绝缘膜的工序之前进行的通过蚀刻上述基体层的表面来形成成为上述半导体层的凸状区域的工序，

在形成上述遮光膜或者背栅电极的工序中，以与上述凸状区域的至少一部分重叠的方式形成上述遮光膜或者背栅电极。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具有在分离除去上述基体层的一部分的工序之后进行的通过蚀刻残留在上述支撑基板上的基体层而以与上述遮光膜或者背栅电极的至少一部分重叠的方式形成成为上述半导体层的凸状区域的工序。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述剥离层形成工序在形成上述遮光膜或者背栅电极的工序之前进行。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述伪图案的工序中，将上述第2绝缘膜作为蚀刻阻挡物，蚀刻在第2绝缘膜的表面形成的绝缘膜，从而形成上述伪图案。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述遮光膜或者背栅电极的工序中，形成背栅电极，

具有向上述半导体层导入杂质元素的工序，

相互相对地形成作为上述半导体元件中的至少1个的导入了上述杂质元素的半导体层和上述背栅电极，从而形成将该半导体层和背栅电极作为一对电容电极的电容元件。