[发明专利]石墨烯器件和制造石墨烯器件的方法有效
| 申请号： | 201080029846.8 | 申请日： | 2010-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102471069A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | A·M·卡凯南;S·哈奎;A·库利;P·M·帕萨南;L·M·J·卡凯南;M·A·雨西塔洛;R·K·勒蒂涅米 | 申请（专利权）人： | 诺基亚公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C01B31/02;H01L21/203;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;董典红 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 器件 制造 方法 | ||
1.一种器件，包括多孔石墨烯层，所述多孔石墨烯层包括多个细孔。
2.根据权利要求1所述的器件，包括多个多孔石墨烯层。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述多孔石墨烯层包括石墨烯带。
4.根据权利要求3所述的器件，其中所述多孔石墨烯层包括多个石墨烯带。
5.根据权利要求3所述的器件，其中所述多孔石墨烯层包括多个石墨烯带，所述石墨烯带被配置成基本对准。
6.根据权利要求3所述的器件，其中所述石墨烯带包括石墨烯纳米带。
7.根据权利要求6所述的器件，其中所述多孔石墨烯层包括多个石墨烯纳米带。
8.根据权利要求1所述的器件，其中所述器件包括石墨烯电极。
9.根据权利要求8所述的器件，其中所述器件包括多个石墨烯电极。
10.根据权利要求8所述的器件，其中所述石墨烯电极包括石墨烯导体。
11.根据权利要求8所述的器件，其中所述石墨烯电极表面面积的至少90％被配置成与绝缘体接触。
12.根据权利要求8所述的器件，其中所述石墨烯电极包括连续的石墨烯层。
13.根据权利要求9所述的器件，其中所述多孔石墨烯层电连接所述石墨烯电极中的两个。
14.根据权利要求9所述的器件，其中所述多孔石墨烯层电连接所述石墨烯电极中的每一个。
15.一种方法，包括：蚀刻石墨烯层，以及使用纳米线掩膜抑制所述蚀刻。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述方法包括在所述石墨烯层上沉积多个纳米线以形成所述纳米线掩膜。
17.根据权利要求15所述的方法，所述纳米线掩膜包括硅或氧化硅。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述方法包括在所述蚀刻之后实质上移除所有的纳米线掩膜。
19.一种电子器件，包括：
第一石墨烯电极，
第二石墨烯电极，
石墨烯半导体，以及
电源，
其中所述石墨烯半导体、所述第一石墨烯电极以及所述第二石墨烯电极被配置成使得通过所述电源在所述第一石墨烯电极中的第一位置和所述第二石墨烯电极中的第二位置之间的电流供应在所述第一位置和所述第二位置之间建立电势差，并且使得所述电势差随着所述第一位置和所述第二位置的变化而保持实质上恒定。
20.根据权利要求19所述的电子器件，其中所述石墨烯半导体包括石墨烯纳米带，其中所述纳米带具有介于0.1nm和20nm之间的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺基亚公司，未经诺基亚公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080029846.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
