[发明专利]在RF驱动器放大器发射器中的增益控制线性有效
| 申请号： | 201080029004.2 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102460965A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 德沃拉塔·V·戈德博尔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03G1/00 | 分类号： | H03G1/00;H03F3/72 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rf 驱动器 放大器 发射器 中的 增益 控制 线性 | ||
1.一种设备，其包含：
多个电压-电流变换器，其将输入信号电压转换成多个输入信号电流；以及
共源共栅级，其耦合到所述电压-电流变换器以提供放大器增益控制，所述共源共栅级包含薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个电压-电流变换器包含多个晶体管。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个晶体管包含MOSFET。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述共源共栅级的所述薄氧化物栅极晶体管包含MOSFET。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述共源共栅级的所述厚栅极氧化物晶体管包含MOSFET。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述薄栅极氧化物晶体管包含所述共源共栅级的最有效MS晶体管。
7.根据权利要求6所述的设备，其进一步包含多个开关，所述多个开关控制所述共源共栅级的所述薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管的断开或接通。
8.根据权利要求7所述的设备，其进一步包含数字增益控制表，所述数字增益控制表用以控制所述多个开关。
9.一种方法，其包含：
将输入信号电压转换成多个输入信号电流；以及
通过将所述多个输入信号电流耦合到共源共栅级来提供放大器增益控制，所述共源共栅级包含薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述共源共栅级的所述薄氧化物栅极晶体管包含MOSFET。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述共源共栅级的所述厚栅极氧化物晶体管包含MOSFET。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述薄栅极氧化物晶体管包含所述共源共栅级的最有效MS晶体管。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含用多个开关控制所述薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管的断开或接通。
14.根据权利要求13所述的方法，其中使用数字增益控制表来控制所述多个开关。
15.一种设备，其包含：
用于将输入信号电压转换成多个输入信号电流的装置；以及
用于向所述多个输入信号电流提供放大器增益控制的装置，所述用于提供放大器增益控制的装置包含薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述用于将所述输入信号电压转换成所述多个输入信号电流的装置包含多个晶体管。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述多个晶体管为MOSFET。
18.根据权利要求15所述的设备，其中所述用于向所述多个输入信号电流提供放大器增益控制的装置包含共源共栅级。
19.根据权利要求18所述的设备，其中所述共源共栅级的所述薄氧化物栅极晶体管包含MOSFET。
20.根据权利要求18所述的设备，其中所述共源共栅级的所述厚栅极氧化物晶体管包含MOSFET。
21.根据权利要求18所述的设备，其中所述薄栅极氧化物晶体管包含所述共源共栅级的最有效MS晶体管。
22.根据权利要求21所述的设备，其进一步包含用于控制所述共源共栅级的所述薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管的断开或接通的装置。
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