[发明专利]取向碳纳米管集合体的制造装置

权利要求书

1.一种取向碳纳米管集合体的制造装置，其具有生长单元，该生长单元包含使取向碳纳米管集合体在表面负载有催化剂的基体材料上生长的生长炉，其中，

所述制造装置具有用来防止所述生长炉外的气体混入到该生长炉内的气体中的第一气体混入防止机构，

所述第一气体混入防止机构具备第一密封气体喷射部和第一排气部，所述第一密封气体喷射部沿着所述生长炉的装入所述基体材料的口及取出所述基体材料的口中的至少一个口的开口面喷射密封气体；所述第一排气部以所述密封气体不从所述口进入所述生长炉中的方式抽吸所述密封气体并排出到所述制造装置的外部。

2.根据权利要求1所述的取向碳纳米管集合体的制造装置，其中，所述生长单元具有喷射原料气体的原料气体喷射部和排出生长炉内气体的排气罩。

3.根据权利要求1或2所述的取向碳纳米管集合体的制造装置，其还具有形成单元，所述形成单元包含形成炉，该形成炉用于使负载于基体材料的催化剂的周围环境成为还原气体环境，并且对所述催化剂及所述还原气体中的至少之一进行加热。

4.根据权利要求3所述的取向碳纳米管集合体的制造装置，其具有第二气体混入防止机构，该第二气体混入防止机构用于防止所述形成炉外的气体混入到所述形成炉内的气体中，

所述第二气体混入防止机构具有第二密封气体喷射部和第二排气部，所述第二密封气体喷射部沿着所述形成炉的装入所述基体材料的口及取出所述基体材料的口中的至少一个口的开口面喷射密封气体；所述第二排气部以所述密封气体不从该口进入所述形成炉中的方式抽吸所述密封气体并排出到所述制造装置的外部。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的取向碳纳米管集合体的制造装置，其中，所述生长单元具有用于向所述生长炉内添加催化剂活化物质的催化剂活化物质添加机构。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的取向碳纳米管集合体的制造装置，其中，所述第一气体混入防止机构具有第一密封气体喷射部和第一排气部，所述第一密封气体喷射部沿着所述生长炉的装入所述基体材料的口的开口面喷射密封气体；所述第一排气部以该密封气体不从该口进入所述生长炉中的方式抽吸所述密封气体并排出到所述制造装置的外部。

7.根据权利要求6所述的取向碳纳米管集合体的制造装置，其中，所述第一密封气体喷射部具有用于添加催化剂活化物质的催化剂活化物质添加机构。

8.一种取向碳纳米管集合体的制造方法，其是使取向碳纳米管集合体在表面负载有催化剂的基体材料上生长的取向碳纳米管集合体的制造方法，该方法包括：使用具有生长单元和第一气体混入防止机构的制造装置进行气体混入防止工序和生长工序，

所述生长单元包含使所述取向碳纳米管集合体生长的生长炉；

所述第一气体混入防止机构具有第一密封气体喷射部和第一排气部，其用来防止所述生长炉外的气体混入到所述生长炉内的气体中，

所述气体混入防止工序中，沿着所述生长炉的装入所述基体材料的口及取出所述基体材料的口中的至少一个口的开口面由所述第一密封气体喷射部喷射密封气体，并且以所述密封气体不从该口进入到所述生长炉中的方式抽吸所述密封气体并从所述第一排气部排出到所述制造装置的外部，

所述生长工序中，使取向碳纳米管集合体在所述生长单元中生长。

9.根据权利要求8所述的取向碳纳米管集合体的制造方法，其中，使用形成单元在所述生长工序之前进行形成工序，所述形成单元包含形成炉，该形成炉用于使负载于基体材料的催化剂的周围环境成为还原气体环境，并且对所述催化剂及所述还原气体中的至少之一进行加热，

在所述形成工序中，使负载于所述基体材料的催化剂的周围环境成为还原气体环境，并且对所述催化剂及所述还原气体中的至少之一进行加热。

10.根据权利要求8或9所述的取向碳纳米管集合体的制造方法，其中，在所述生长工序中向所述生长炉内添加催化剂活化物质。