[发明专利]晶片加工用基材

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于加工晶片的基材。

背景技术

半导体器件制备方法包括背磨工艺或切割工艺，在这些工艺中使用了如表面保护片或者切割片的片材。

近来，由于对于小型且重量轻的半导体器件需求的增加，因此这种用于加工晶片的片材的性能变得越来越重要。

例如，为了制造比仅在晶片一侧形成电路的常规方法具有更高集成度的电路，应在晶片的两侧都形成电路。为了在晶片的两侧都形成电路，应当对其上粘附了加工片材的晶片进行高温加工。因此，用于加工晶片的片材需要在高温下具有优异的耐热性或尺寸稳定性。然而，当使用具有高熔点的硬质基材以确保耐热性及尺寸稳定性时，对晶片的保护劣化且应力松弛也降低，导致更有可能损坏晶片。

用于加工晶片的片材应该具有优异的应力松弛性质且没有如鱼眼的突出。当应力松弛性质降低或在片材上出现突出时，由于残余应力或由于不均匀的压力而容易损伤该晶片。由于对大直径及小厚度的晶片的需求，这种现象越发常见。

所述用于加工晶片的片材需要具有优异的可裁切性。当可裁切性降低时，在加工期间可能发生裁切缺陷，且因此可能导致晶片加工不连续地进行。从而，当用于加工晶片的片材的可裁切性降低时，可能会降低生产效率且可能损伤该晶片。

专利文献1公开了一种在涂覆到晶片的膜上时，具有用于防止损坏晶片的特定范围储能模量的粘合片材。

然而，包括专利文献1在内，现在并无已知的技术能制备满足所有上述性质的加工晶片用片材。

发明内容

技术问题

本发明涉及一种用于加工晶片的基材、其制备方法、一种用于加工晶片的压敏粘合片及一种晶片的加工方法。

技术方案

本发明的一个方面提供了一种用于加工晶片的基材，所述基材为包括高分子量聚合物和单体组分的可光固化组合物的光固化产物。所述基材具有-20℃至45℃的玻璃化转变温度(Tg)且在23℃具有10kg·mm至250kg·mm的韧性。

以下将详细描述所述用于加工晶片的基材。

所述用于加工晶片的基材为可光固化组合物的光固化产物。所述光固化产物具有上述范围的玻璃化转变温度以及韧性。本文中所用的术语“可光固化组合物”是指一种包括可通过电磁波辐射而交联、聚合或固化的组分的组合物。本文中所用的术语“电磁波”为包括微波、红外线(IR)、紫外线(UV)、X-射线、γ射线及如α-粒子束、光子束、中子束及电子束的粒子束的通称。

所述光固化产物，即所述基材，可具有介于-20℃至45℃，优选介于-10℃至40℃，更优选介于-5℃至40℃，及最优选介于0℃至35℃之间的玻璃化转变温度。所述玻璃化转变温度可利用差示扫描量热计(DSC)测得。在本发明中，若DSC分析的结果检测到二个或更多个玻璃化转变温度，则考虑该组合物的各个组分算出来的检测到的玻璃化转变温度的平均值是作为代表值的玻璃化转变温度。当玻璃化转变温度低于-20℃时，该光固化产物可能变得难以涂覆作为基材，而当玻璃化转变温度高于40℃时，该基材依附于晶片表面的性质及应力松弛性质可能会降低。

该基材在23℃，优选20℃至25℃，且更优选15℃至30℃可具有介于10kg·mm至250kg·mm，优选10kg·mm至200kg·mm，更优选10kg·mm至150kg·mm，且最优选25kg·mm至150kg·mm之间的韧性。所述韧性可以由拉伸试验测得。具体而言，将所述光固化产物，即所述基材切成具有15mm×15mm尺寸的样品。关于上述内容，样品的尺寸是指排除在拉伸试验期间用胶带把该样品固定于拉伸试验机的区域以外的区域尺寸。制备该样品以后，把该样品固定于试验机以限定该样品在拉伸试验机伸长方向的垂直长度，然后在测量温度下以180mm/min至220mm/min，优选200mm/min的速率沿垂直方向伸长。画出直到该样品断裂为止测得的作用力随距离变化的曲线图。把作用力对距离的曲线积分以估算韧性。

当韧性低于10kg·mm时，该基材可能变得刚性过大，或光固化产物可能变得难以形成为基材。当韧性高于250kg·mm时，则可裁切性可能会降低。

在本发明中，对形成光固化产物的可光固化组合物的种类并没有特别限定，且该组合物可利用各种高分子量聚合物制备。