[发明专利]用于级联不同材料的滤波器的设备和方法有效
| 申请号: | 201080026686.1 | 申请日: | 2010-04-13 | 
| 公开(公告)号: | CN102498665A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 | 
| 发明(设计)人: | C-Y.贾 | 申请(专利权)人: | 岩星比德科有限公司 | 
| 主分类号: | H03H1/00 | 分类号: | H03H1/00;H03H3/00;H03H3/007;H03H3/08;H03H9/46;H03H9/64;H04B7/24 | 
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;卢江 | 
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 级联 不同 材料 滤波器 设备 方法 | ||
1.一种滤波器,包括:
至少一个第一滤波器,每个第一滤波器是具有第一组滤波器参数的带阻型滤波器,所述第一组滤波器参数是用来制作相应第一滤波器的第一材料的函数;
至少一个第二滤波器,每个第二滤波器具有第二组滤波器参数,所述第二组滤波器参数是用来制作相应第二滤波器的第二材料的函数,每个第二滤波器是以下之一:
带阻型滤波器;以及
带通型滤波器;
其中所述至少一个第一滤波器中的至少一个和所述至少一个第二滤波器中的至少一个级联在一起;
其中所述第一材料和所述第二材料是不同材料;并且
其中所述滤波器具有是所述第一材料和所述第二材料两者的函数的第三组滤波器参数。
2.根据权利要求1所述的滤波器,其中每个第一滤波器是滤波器响应具有至少一个阻带的窄带带阻型滤波器,每个阻带具有相对于每个第二滤波器的过渡频带而言的陡峭的过渡频带。
3.根据权利要求1或者2所述的滤波器,其中所述第一材料具有比所述第二材料小的量值温度系数,使得每个第一滤波器具有比每个第二滤波器少的依赖于温度的频率漂移。
4.根据权利要求1至3中的任一权利要求所述的滤波器,其中每个第二滤波器是以下之一:
宽带带通型滤波器;以及
宽带带阻型滤波器。
5.根据权利要求1至4中的任一权利要求所述的滤波器,其中所述第二材料具有比所述第一材料高的机电耦合系数。
6.根据权利要求1至5中的任一权利要求所述的滤波器,其中:
每个第一滤波器具有以下之一:
第一阻带,布置于所述至少一个第二滤波器之一的通带的低侧边缘处;
第一阻带,布置于所述至少一个第二滤波器之一的阻带的低侧边缘处;
第一阻带,布置于所述至少一个第二滤波器之一的通带的高侧边缘处;
第一阻带,布置于所述至少一个第二滤波器之一的阻带的高侧边缘处;
两个阻带,所述两个阻带中的第一阻带布置于所述至少一个第二滤波器之一的通带的低侧边缘处,并且所述两个阻带中的第二阻带布置于所述至少一个第二滤波器之一的所述通带的高侧边缘处;以及
两个阻带,所述两个阻带中的第一阻带布置于所述至少一个第二滤波器之一的阻带的低侧边缘处,并且所述两个阻带中的第二阻带布置于所述至少一个第二滤波器之一的所述阻带的高侧边缘处。
7.根据权利要求1至6中的任一权利要求所述的滤波器,其中:
使用以下的任何一个制作每个第一滤波器:表面声波(SAW)技术;薄膜体声学谐振器(FBAR)技术;以及体声波(BAW)滤波器技术;并且
使用以下的任何一个制作每个第二滤波器:SAW技术; FBAR技术;以及BAW滤波器技术。
8.根据权利要求1至7中的任一权利要求所述的滤波器,其中所述第一材料包括以下的至少一个:石英;Langasite;SiO2/ZnO/金刚石;SiO2/AlN/金刚石;Li2B4O7;AlN/Li2B4O7;LiTaO3;LiNbO3;SiO2/LiTaO3;SiO2/LiNbO3;AlN;及其组合。
9.根据权利要求1至8中的任一权利要求所述的滤波器,其中所述第二材料包括以下的至少一个:石英;Langasite;SiO2/ZnO/金刚石;SiO2/AlN/金刚石;Li2B4O7;AlN/Li2B4O7;LiTaO3;LiNbO3;SiO2/LiTaO3;SiO2/LiNbO3;ZnO;AlN;及其组合。
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