[发明专利]成膜装置有效
| 申请号： | 201080026236.2 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102471878A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
1.一种成膜装置，其特征在于，包括：
腔室，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体与具有溅射面的靶相对置的方式配置有所述被处理体与所述靶这两者；
排气部，对所述腔室内进行减压；
第一磁场产生部，在露出所述溅射面的所述内部空间中产生磁场；
直流电源，向所述靶施加负的直流电压；
气体导入部，向所述腔室内导入溅射气体；
第二磁场产生部，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面的整个面与所述被处理体的所述成膜面的整个面之间通过；以及
第三磁场产生部，从所述第二磁场产生部来看，相比于所述靶被配置在上游侧。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二磁场产生部具有第一产生部和第二产生部，所述第一产生部被施加用I(2u)定义的电流值并被配置在离所述靶近的位置，所述第二产生部被施加用I(2d)定义的电流值并被配置在离所述被处理体近的位置；
在所述第三磁场产生部中，被施加用I(3)定义的电流；
满足关系式I(2u)＝I(2d)；
满足关系式I(2u)＜I(3)或关系式I(2d)＜I(3)。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二磁场产生部具有第一产生部和第二产生部，所述第一产生部被施加用I(2u)定义的电流值并被配置在离所述靶近的位置，所述第二产生部被施加用I(2d)定义的电流值并被配置在离所述被处理体近的位置；
在所述第三磁场产生部中，被施加用I(3)定义的电流；
满足关系式I(2d)＝I(3)；
满足关系式I(2u)＝0。
4.一种成膜装置，其特征在于，包括：
腔室，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体与具有溅射面的靶相对置的方式配置有所述被处理体与所述靶这两者；
排气部，对所述腔室内进行减压；
第一磁场产生部，在露出所述溅射面的所述内部空间中产生磁场；
直流电源，向所述靶施加负的直流电压；
气体导入部，向所述腔室内导入溅射气体；
第二磁场产生部，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面的整个面与所述被处理体的所述成膜面的整个面之间通过；以及
第四磁场产生部，从所述第二磁场产生部来看，相比于所述被处理体被配置在下游侧。
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