[发明专利]制造碳化硅衬底的方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下各步骤：

准备至少一个单晶衬底(11)，每个单晶衬底具有背面(B1)且由碳化硅制成；

准备具有主面(FO)且由碳化硅制成的支撑部(30c)，所述支撑部的所述主面的至少一部分具有凹凸起伏；

堆叠所述支撑部和所述至少一个单晶衬底，使得每个所述至少一个单晶衬底的所述背面和具有所述凹凸起伏的所述支撑部的所述主面形成为彼此接触；以及

为使得每个所述至少一个单晶衬底的所述背面连接至所述支撑部，加热所述支撑部和所述至少一个单晶衬底，以使得所述支撑部的温度超过碳化硅的升华温度，并且每个所述至少一个单晶衬底的温度低于所述支撑部的温度。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述的准备支撑部的步骤包括形成所述主面的步骤以及在所述主面上形成所述凹凸起伏的步骤。

3.根据权利要求2所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述的形成所述凹凸起伏的步骤包括研磨所述主面以便使所述主面粗糙的步骤。

4.根据权利要求3所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述的研磨所述主面的步骤包括沿一个线性方向研磨所述主面的步骤。

5.根据权利要求2所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述的形成所述凹凸起伏的步骤包括向所述主面施加预定表面特征的步骤。

6.根据权利要求5所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述表面特征包括在所述主面上沿着第一方向延伸的多个凹进部。

7.根据权利要求6所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述表面特征包括在所述主面上沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸的凹进部。

8.根据权利要求5所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述表面特征包括在所述主面上以圆周方向延伸的凹进部。

9.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

在所述的准备支撑部的步骤中，在所述主面上形成具有晶体结构畸变的表面层，

在所述的堆叠所述支撑部和至少一个单晶衬底的步骤之前，进一步包括化学去除所述表面层的至少一部分的步骤。

10.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述至少一个单晶衬底具有六方晶系结构，并且相对于{0001}面具有大于或等于50°且小于或等于65°的偏离角。

11.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述凹凸起伏具有随机方向。

12.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

所述的准备支撑部的步骤包括通过切片形成所述主面的步骤，所述凹凸起伏通过所述切片来形成。

13.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

通过切片来形成每个所述至少一个单晶衬底的所述背面。

14.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，

在具有高于10^-1Pa且低于10⁴Pa的压力的气氛中进行所述的加热步骤。