[发明专利]集成电路发光器件、模块以及制造工艺

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

具有第一表面和第二表面的半导体衬底；

具有不平行于所述第一表面或者不平行于所述第二表面的发光表面的发光层；以及

形成在所述半导体衬底的相反的表面上的第一电极和第二电极，用于使电流通过所述发光层以促成所述发光层发光。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括布置在所述发光层和所述第二表面之间的导电性的光反射层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底被掺杂以具有导电性。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底未被掺杂。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极布置在所述发光层的相反侧。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一表面或者所述第二表面平行于所述半导体衬底的(100)晶体平面。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述发光层平行于所述半导体衬底的(111)晶体平面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述发光层包括III-V族化合物层。

9.一种半导体器件，其包括：

具有第一表面和第二表面的导电性的掺杂的半导体衬底；

不平行于所述第一表面或者不平行于所述第二表面的量子阱层；

布置在所述量子阱层和所述第二表面之间的导电性的反射层；

形成在所述半导体器件的相反的表面上的第一电极和第二电极，用于使电流通过所述量子阱层以促成所述量子阱层发光。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述电极层是III-V族化合物层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述电极层之一包括光反射缓冲层。

12.一种装置，其包括：

形成在半导体衬底上的大致相同的多个发光器件，所述发光器件分别包括：

形成在所述半导体衬底的第一表面上的多个层，所述多个层包括第一层和多个发光层；以及

形成在所述第一层上并且被所述多个发光器件全体共享的第一电极。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，进一步包括被所述多个发光器件全体共享的第二电极。

14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第二电极形成在所述半导体衬底的第二表面上，其中，所述第二表面平行于所述半导体衬底的所述第一表面并与所述第一表面位于所述半导体衬底的相反侧。

15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述多个层进一步包括第二层，并且所述第二电极被电连接到所述第二层。

16.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述发光器件分别为发光二极管。

17.一种装置，其包括：

形成在半导体衬底上的多个发光二极管，所述发光二极管分别包括：

形成在所述半导体衬底的顶表面上的多个器件层；以及

形成在所述半导体衬底的底表面上并被多个器件全体共享的第一电极。

18.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，进一步包括被所述多个器件全体共享的第二电极。

19.根据权利要求18所述的装置，其特征在于，所述半导体衬底的所述底表面平行于所述半导体衬底的所述顶表面并与所述顶表面位于所述半导体衬底的相反侧。

20.根据权利要求19所述的装置，其特征在于，所述第二电极形成在所述多个器件层的第一器件层上。

21.根据权利要求20所述的装置，其特征在于，所述多个器件层进一步包括第二器件层，并且所述第一电极电连接到所述第二器件层。