[发明专利]供在太阳能电池制造中使用的等离子体格栅注入系统有效
| 申请号: | 201080025312.8 | 申请日: | 2010-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN102804329A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
| 发明(设计)人: | B·阿迪比;M·丘恩 | 申请(专利权)人: | 因特瓦克公司 |
| 主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 制造 使用 等离子体 格栅 注入 系统 | ||
1.一种等离子体格栅注入系统,包括:
等离子体源,被配置成提供等离子体;
第一格栅板,包括被配置成允许来自等离子体区中的所述等离子体的离子通过的多个孔,其中所述第一格栅板被配置成由电源正向偏置;
第二格栅板,包括被配置成在所述离子通过所述第一格栅板之后允许所述离子通过的多个孔,其中所述第二格栅板被配置成由电源负向偏置;以及
衬底保持器,被配置成在如下位置支撑衬底,在所述离子通过所述第二格栅板之后在所述位置向所述衬底注入所述离子。
2.根据权利要求1所述的系统,其中:
所述第一格栅板由电源正向偏置;以及
所述第二格栅板由电源负向偏置。
3.根据权利要求1所述的系统,其中:
所述第一格栅板、所述第二格栅板和所述衬底保持器中的至少一个的位置被配置成在均匀注入位置与选择性注入位置之间调节;
所述均匀注入位置被配置成实现跨所述衬底保持器上的所述衬底的单个横向均匀的离子注入,其中所述单个横向均匀的离子注入由已经通过所述第二格栅板的不同孔的离子的组合形成;以及
所述选择性注入位置被配置成实现所述衬底保持器上的所述衬底的多个横向间隔开的离子注入,其中所述多个横向间隔开的离子注入由已经通过所述第二格栅板的所述不同孔的离子形成。
4.根据权利要求1所述的系统,还包括布置在所述第二格栅板与所述衬底保持器之间的第三格栅板,所述第三格栅板包括被配置成在所述离子通过所述第二格栅板之后允许所述离子通过的多个孔。
5.根据权利要求4所述的系统,其中所述第三格栅板接地。
6.根据权利要求4所述的系统,其中:
所述第三格栅板和所述衬底保持器中的至少一个的位置被配置成在均匀注入位置与选择性注入位置之间调节;
所述均匀注入位置被配置成实现跨所述衬底保持器上的所述衬底的单个横向均匀的离子注入,其中所述单个横向均匀的离子注入由已经通过所述第二格栅板的不同孔的离子的组合形成;以及
所述选择性注入位置被配置成实现所述衬底保持器上的所述衬底的多个横向间隔开的离子注入,其中所述多个横向间隔开的离子注入由已经通过所述第二格栅板的所述不同孔的离子形成。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一格栅板和所述第二格栅板中的至少一个格栅板的所述孔基本上为圆孔。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一格栅板和所述第二格栅板中的至少一个格栅板的所述孔为伸长槽。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一格栅板和所述第二格栅板中的至少一个格栅板的所述孔中的每个孔包括顶端和底端,其中所述底端比所述顶端更接近所述衬底保持器,并且其中每个孔的直径从所述顶端向所述底端渐增。
10.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一格栅板和所述第二格栅板包括选自由硅、石墨、碳化硅和钨组成的群组中的材料。
11.根据权利要求1所述的系统,还包括由室壁限定的室,其中所述等离子体区、所述第一格栅板和所述第二格栅板容纳于所述室内,并且其中所述室壁被配置成使用电场来排斥所述等离子体区中的离子。
12.根据权利要求11所述的系统,其中一个或者多个磁体耦合到所述室壁。
13.一种离子注入方法,包括:
在室的等离子体区内提供等离子体;
正向偏置第一格栅板,其中所述第一格栅板包括多个孔并且布置在第一位置;
负向偏置第二格栅板,其中所述第二格栅板包括多个孔并且布置在第一位置;
使来自所述等离子体区中的所述等离子体的离子流过所述正向偏置的第一格栅板中的所述孔;
使流过所述正向偏置的第一格栅板中的所述孔的所述离子的至少部分流过所述负向偏置的第二格栅板中的所述孔;以及
向衬底注入流过所述负向偏置的第二格栅板中的所述孔的所述离子的至少部分,其中所述衬底布置在第一位置。
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