[发明专利]能量储存装置中的三维含铜电极的固态电解质界面所用的钝化膜

权利要求书

1.一种用于形成能量储存装置的阳极结构，包括：

导电基板；

形成于所述基板上的多个导电微结构；

形成于所述导电微结构上的钝化膜；以及

形成于所述导电微结构上的绝缘分隔层，其中所述导电微结构包括柱状凸出部。

2.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述钝化膜包括选自包括下列的群组的材料：氧化铜、氯化铜、硫化铜、铜-腈、铜-碳酸盐、铜-磷化物、铜-锡氧化物、铜-钴-锡氧化物、铜-钴-锡-钛氧化物、铜-硅氧化物、铜-镍氧化物、铜-钴氧化物、铜-钴-锡-钛氧化物、铜-钴-镍-铝氧化物、铜-钛氧化物、铜锰氧化物、铜铁磷酸盐、锂-铜-P-O-N、锂-铜-B-O-N、锂-铜-氧化物、锂-铜-硅氧化物、锂-铜-镍氧化物、锂-铜-锡氧化物、锂-铜-钴氧化物、锂-铜-钴-锡-钛氧化物、锂-铜-钴-镍-铝氧化物、锂-铜-钛氧化物、锂-铝-硅、锂-铜-锰氧化物、锂-铜-铁-磷化物、铝-硅与其组合。

3.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述导电微结构还包括藉由电镀处理或无电镀覆处理形成的树状结构。

4.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述导电微结构包括大-多孔结构，所述大-多孔结构具有直径在约5微米与约100微米(μm)之间的大孔。

5.如权利要求4所述的阳极结构，其特征在于，所述导电微结构还包括中度-多孔结构，所述中度-多孔结构具有多个直径在约100nm至约1,000nm之间的中孔。

6.如权利要求5所述的阳极结构，其特征在于，所述导电微结构还包括纳米-多孔结构，所述纳米-多孔结构具有多个直径小于约100nm的纳米孔。

7.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述导电微结构包括选自包括下列的群组的材料：铜、锌、镍、钴、钯、铂、锡、钌、其合金以及其组合。

8.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述钝化膜的厚度在约1nm与约1,000nm之间。

9.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述导电基板包括金属箔。

10.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，还包括中度-多孔含碳材料，所述中度-多孔含碳材料形成于所述钝化膜与所述绝缘分隔层之间。

11.一种处理挠性基板的基板处理系统，包括：

第一镀覆腔室，所述第一镀覆腔室被配置以在所述挠性基板的一部分上镀覆导电微结构，所述导电微结构包括第一导电材料；

第一清洗腔室，所述第一清洗腔室邻近所述第一镀覆腔室而设置，所述第一清洗腔室被配置以用清洗流体从所述挠性基板的所述部分清洗并移除任何残余镀覆溶液；

第二镀覆腔室，所述第二镀覆腔室邻近所述第一清洗腔室而设置，所述第二镀覆腔室被配置以在所述导电微结构上沉积第二导电材料；

第二清洗腔室，所述第二清洗腔室邻近所述第二镀覆腔室而设置，所述第二清洗腔室被配置以从所述挠性基板的所述部分清洗并移除任何残余镀覆溶液；

表面改性腔室，所述表面改性腔室被配置以在所述挠性基板的所述部分上形成钝化膜；

基板传送机构，所述基板传送机构被配置以在所述腔室之间传送所述挠性基板，所述基板传送机构包括：

进料辊，所述进料辊被配置以保持所述挠性基板的一部分；以及

卷绕辊，所述卷绕辊被配置以保持所述挠性基板的一部分，

其中所述基板传送机构被配置以激活所述进料辊与所述卷绕辊，以移动所述挠性基板进出各个腔室，并固持所述挠性基板于各个腔室的处理空间中。

12.如权利要求11所述的基板处理系统，其特征在于，所述表面改性腔室选自包括下列的群组：电化学电镀腔室、无电沉积腔室、化学气相沉积腔室、等离子体增强化学气相沉积腔室、原子层沉积腔室、清洗腔室、退火腔室及其组合。

13.如权利要求11所述的基板处理系统，其特征在于，所述第一导电材料包括柱状金属层，所述柱状金属层上沉积有三维金属多孔树状结构。

14.如权利要求11所述的基板处理系统，其特征在于，所述第一导电材料包括铜，且所述第二导电材料包括锡。

15.如权利要求11所述的基板处理系统，其特征在于，所述第一镀覆腔室、第一清洗腔室、第二镀覆腔室、第二清洗腔室以及表面改性腔室分别被配置成同时处理所述挠性导电基板的所述部分的相反面。