[发明专利]用于制造薄膜光伏转换器设备的方法无效
申请号: | 201080024776.7 | 申请日: | 2010-06-01 |
公开(公告)号: | CN102460698A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | M.库皮希 | 申请(专利权)人: | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/18;H01L31/052 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;王忠忠 |
地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 薄膜 转换器 设备 方法 | ||
1.一种用于制造薄膜光伏转换器设备的方法,其中中间产品模块被制造,其包括沉积至少一个正掺杂的、至少一个本征的以及至少一个负掺杂的硅基层,并且其中所述中间产品模块经受退火步骤,所述退火步骤包括令所述模块在半小时到四小时的时间跨度期间经受100℃到200℃之间的温度。
2.权利要求1的方法,其中,制造所述中间产品模块包括:在沉积所述硅基层之后,沉积背面接触件,或者沉积背面接触件并且沉积反射器,或者沉积背面接触件和反射器。
3.权利要求2的方法,其中,通过反复地沉积相应层并且随后执行所述退火步骤中的一个来沉积所述背面反射器或者背面接触件和反射器。
4.权利要求2的方法,包括通过溅射沉积并且在所述溅射沉积期间执行所述退火步骤来沉积所述背面反射器。
5.权利要求2或3之一的方法,包括沉积由白色涂料制成的所述背面反射器。
6.权利要求1到5之一的方法,所述退火步骤是在真空氛围中执行的。
7.权利要求1到6之一的方法,所述退火步骤是在包含所选气体种类的氛围中执行的,所选气体种类优选地是Ar和N的至少一个。
8.权利要求1到7之一的方法,制造所述中间产品模块包括:沉积至少一个本征氢化微晶硅层并且沉积至少一个本征氢化非晶硅层。
9.权利要求1到8之一的方法,其中,所述制造所述中间产品模块包括:将正面接触件施加到由一层或多于一层透明导电材料制成的基板,所述导电材料优选地是一种或多于一种优选地经过掺杂的导电氧化物;以及优选地通过激光刻划来图案化所述正面接触件。
10.权利要求9的方法,其中,制造所述中间产品模块还包括:在施加并图案化所述正面接触件之后,沉积所述正掺杂层中的一个或者沉积所述负掺杂层中的一个,随后沉积基本上是非晶硅的所述本征层中的一个,并且随后沉积所述负掺杂层中的一个或者沉积所述正掺杂层中的一个,并且优选地随后施加优选地是电介质中间层的中间层。
11.权利要求10的方法,其中,制造所述中间产品模块还包括:沉积所述负掺杂层中的另一个或者沉积所述正掺杂层中的另一个,随后沉积基本上是微晶硅的所述本征层中的一个,并且随后分别沉积所述正掺杂层中的另一个或者沉积所述负掺杂层中的另一个,并且优选地随后优选地通过另一次激光刻划来图案化除了所述正面接触件之外的所有层。
12.权利要求11的方法,其中,制造所述中间产品模块还包括沉积背面接触件或者沉积背面接触件和反射器,并且优选地还包括优选地通过再一次激光刻划来图案化除了所述正面接触件之外的所有层,并且还优选地包括接触发生。
13.权利要求11的方法,其中,制造所述中间产品模块还包括:沉积背面接触件,随后优选地通过再一次激光刻划对除了所述正面接触件之外的所有层执行图案化,接触发生,以及随后施加反射器的至少一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫),未经欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080024776.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:开关模式电源中的电流测量
- 下一篇:信道调整方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的