[发明专利]通过调整单独的部件的光学性质制作光伏组件的方法无效
申请号: | 201080024738.1 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN102473781A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | B·柯都拉;A·诺里斯;尼克·鲍威尔;基思·R·麦金托什;詹姆斯·科特赛尔 | 申请(专利权)人: | 道康宁公司;澳大利亚国立大学 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/052 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 调整 单独 部件 光学 性质 制作 组件 方法 | ||
1.一种用于制作在效率上获益的光伏组件的方法,所述方法包括:
选择光伏电池,其可操作来将光子转变成电子;
选择透光覆盖层,其具有覆盖层吸收系数和覆盖层折射率;
选择密封剂,其具有密封剂吸收系数和密封剂折射率,其中所述覆盖层和所述密封剂的吸收系数被选定以优化到达所述光伏电池的光,以及其中所述覆盖层和所述密封剂的各自的折射率被选定以使得存在有在效率上的获益;以及
使用所选择的材料组装所述光伏组件。
2.如权利要求1所述的方法,其中所优化的在效率上的获益部分地基于逃逸锥损耗。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述在效率上的获益基于所述光伏电池的短路电流密度。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述密封剂包括硅酮。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述硅酮包括烷基和/或芳基取代的聚二甲基硅氧烷的均聚物或共聚物。
6.如权利要求4所述的方法,其中所述硅酮包括聚二甲基硅氧烷和聚甲基苯基硅氧烷的共聚物。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述密封剂折射率在所述覆盖层折射率的±0.05范围内。
8.如权利要求6所述的方法,其中所述覆盖层折射率大约是1.5。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述密封剂折射率大于所述覆盖层折射率。
10.一种具有受控的折射率失配的光伏组件,包括:
光伏电池,其可操作来将光子转变成电子;
透光覆盖层材料;以及
硅酮密封剂,其将所述覆盖层与所述光伏电池分离开,其中所述覆盖层和所述硅酮密封剂具有比所述覆盖层的折射率大的折射率。
11.如权利要求10所述的光伏组件,其中所述硅酮密封剂包括选自由聚二甲基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷及其混合物组成的组的硅酮均聚物或共聚物。
12.如权利要求10所述的光伏组件,其中所述硅酮密封剂包括折射率比所述密封剂大的纳米微粒。
13.如权利要求10所述的光伏组件,其中所述光伏电池包括单晶硅电池。
14.如权利要求13所述的光伏组件,其中所述光伏电池还包括丝网印刷电池。
15.如权利要求13所述的光伏组件,其中所述光伏电池还包括背触式电池。
16.一种具有受控的折射率失配的光伏组件,包括:
光伏电池,其可操作来将光子转变成电子;
透光覆盖层材料;以及
硅酮密封剂,其将所述覆盖层与所述光伏电池分离开,其中所述密封剂具有折射率和吸收系数以使通过增加内部反射获得的所述组件的由逃逸锥损耗所指示的光损耗的减少多于与在所述密封剂覆盖层的界面处的反射相关的光损耗。
17.如权利要求16所述的光伏组件,其中所述硅酮密封剂包括选自由聚二甲基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷及其混合物组成的组的硅酮均聚物或共聚物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的