[发明专利]钛酸钡系半导体瓷器组合物及钛酸钡系半导体瓷器元件有效
申请号: | 201080024406.3 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN102459127A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 川濑洋一;奥田俊介;平田雄一;并河康训 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | C04B35/46 | 分类号: | C04B35/46;H01B3/12;H01C7/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钛酸钡 半导体 瓷器 组合 元件 | ||
1.一种钛酸钡系半导体瓷器组合物,其特征在于,由通式(Ba(1-v-w)MevSrw)TixO3+ySiO2表示,其中,Me为选自Er、Sm、Ce、La中的至少一种,并且v、w、x、y分别在
0.001≤v≤0.005、
0.42≤w≤0.49、
0.99≤x≤1.03、
0.002≤y≤0.030的范围内。
2.根据权利要求1所述的钛酸钡系半导体瓷器组合物,其特征在于,所述v在0.001≤v≤0.002的范围内。
3.一种钛酸钡系半导体瓷器元件,其特征在于,用权利要求1或2所述的钛酸钡系半导体瓷器组合物形成的。
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