[发明专利]半导体光调制装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体光调制装置，特别是涉及安装了由温度控制模块进行温度控制的半导体光调制元件的TO-CAN(Top Open Can)结构。

背景技术

在安装了半导体光调制元件的TO-CAN结构中，为了进行半导体光调制元件的温度控制，存在如下方法：将温度控制模块安装在金属管座(metal stem)上。

这里，在专利文献1中公开了如下技术：通过使从激光二极管输出的后向光通过第1板状体的外侧由支承在第2板状体的光电二极管进行受光，从而从支承激光二极管的第1板状体去掉光电二极管来降低热电模块的功耗。

专利文献1：日本特开2008-85366号公报

发明内容

然而，根据上述以往的技术，为了由温度控制模块对半导体光调制元件进行温度控制，需要在安装于金属管座上的温度控制模块上配置半导体光调制元件。因此，为了连接贯通金属管座的引脚和半导体光调制元件，需要将引脚加长与温度控制模块的厚度相对应的量、或者加长对引脚和半导体光调制元件进行连接的接合线。其结果，引脚与半导体光调制元件之间的电感增大，存在如下问题：当传输10Gbps以上的信号时，损耗变大，频率响应特性恶化。

另外，在作为半导体光调制元件使用了EAM-LD(Electro absorption-Laser Diode)的情况下，需要对信号线路提供稳定的基准电位，存在如下问题：当电感变大时，容易在带宽内产生谐振，频率响应特性恶化。

本发明是鉴于上述而作出的，其目的在于得到一种在安装于金属管座上的温度控制模块上配置了半导体光调制元件的情况下也能够抑制电感的增大、且能够对贯通金属管座的引脚和半导体光调制元件进行连接的半导体光调制装置。

为了解决上述的课题并达成目的，本发明的半导体光调制装置的特征在于，具备：金属管座；引脚，贯通所述金属管座；第1支承块，安装在所述金属管座上；温度控制模块，安装在所述金属管座上；第1电介质基板，安装在所述第1支承块的侧面；第2支承块，安装在所述温度控制模块上；信号线路，形成在所述第1电介质基板上；第2电介质基板，安装在所述第2支承块的侧面；信号导体，形成在所述第2电介质基板；半导体光调制元件，安装在所述第2电介质基板上；第1接合线，连接所述引脚和所述信号线路的一端；第2接合线，连接所述信号线路的另一端和所述信号导体的一端；以及第3接合线，连接所述信号导体的另一端和所述半导体光调制元件。

根据本发明，起到如下效果：在安装于金属管座上的温度控制模块上配置了半导体光调制元件的情况下，也能够抑制电感的增大、且能够对贯通金属管座的引脚和半导体光调制元件进行连接。

附图说明

图1是表示本发明的半导体光调制装置的实施方式1的概要结构的立体图。

图2是与以往例子进行比较而表示图1的半导体光调制装置的频率响应特性的图。

图3是表示本发明的半导体光调制装置的实施方式2的概要结构的立体图。

图4是表示本发明的半导体光调制装置的实施方式3的概要结构的立体图。

图5-1是表示本发明的半导体光调制装置的实施方式4的概要结构的立体图。

图5-2是表示搭载了图5-1的半导体光调制装置的光发送接收器的概要结构的侧视图。

图6是表示本发明的半导体光调制装置的实施方式5的概要结构的立体图。

图7是表示本发明的半导体光调制装置的实施方式6的概要结构的立体图。

附图标记说明

1、21：金属管座；2：引脚；3：玻璃材料；4：温度控制模块；4a、52：散热面；4b：珀尔贴元件；4c：冷却面；5、9：支承块；6、6’、10：电介质基板；7、7’：信号线路；11：信号导体；8、8’、12：接地导体；13：半导体光调制元件；14～17、14’：接合线；31、32：电阻；41：散热块；51：光发送接收器；53：电路基板；54：引线；61：支承体。

具体实施方式

下面，参照附图详细地说明本发明的半导体光调制装置的实施方式。此外，并非通过该实施方式来限定本发明。

实施方式1.

图1是表示本发明的半导体光调制装置的实施方式1的概要结构的立体图。在图1中，在金属管座1上设置有贯通金属管座1的引脚2，引脚2经由玻璃材料3固定在金属管座1。此外，金属管座1以及引脚2的材料例如可以使用铜、铁、铝或者不锈钢等金属，也可以在表面施以镀金、镀镍等。