[发明专利]磁场发生器和包括所述磁场发生器的磁热装置无效

专利信息
申请号: 201080024232.0 申请日: 2010-06-01
公开(公告)号: CN102483448A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: O·萨里;N·阿尔伯 申请(专利权)人: 高等工程及管理沃州(HEIG-VD)公司
主分类号: G01R33/383 分类号: G01R33/383;H01F7/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘敏
地址: 瑞士伊韦尔*** 国省代码: 瑞士;CH
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 磁场 发生器 包括 装置
【权利要求书】:

1.磁场发生器(10;100;110;120),所述磁场发生器包括至少一个各向异性的永磁体(30;31)的组件(20),所述各向异性的永磁体被设置以产生磁通量和限定一磁隙(40),所述磁通量集中在所述磁隙的内部,

-所述永磁体的组件(20)包括第一元件(21)和第二元件(22),所述第一元件和所述第二元件彼此相面对地安装,相对于垂直于所述磁隙(40)的横向轴线(B-B)的轴线(A-A)对称,

-所述第一元件(21)和所述第二元件(22)的每个都包括至少三个永磁体(30;31),和

-所述永磁体的组件(20)的所述第一元件(21)和所述第二元件(22)基本布置在同一平面中,并且分别被磁场封闭机件(51,52)至少部分地围绕,

其特征在于,所述永磁体的组件(20)的所述第一元件(21)和所述第二元件(22)的所述永磁体(30;31)由具有平行六面体形状的块体组成;

所述永磁体根据三个区域基本呈圆弧布置,该三个区域为:被布置与所述磁隙(40)相面对的中心区域(60);在所述中心区域(60)的一侧布置的第一侧区域(70);和在所述中心区域(60)的另一侧布置的第二侧区域(80),所述第一侧区域(70)和所述第二侧区域(80)的所述永磁体(30;31)具有相对于所述轴线(A-A)相反的磁化方向,所述轴线垂直于所述磁隙(40)的横向轴线(B-B);

并且,组成磁通量集中器(90)的至少两个铁磁材料构件(91)和(92)被布置在所述磁隙(40)两侧,所述至少两个铁磁材料构件分别地在所述中心区域(60)的一侧布置在所述永磁体的组件(20)的第一元件(21)和第二元件(22)的所述第一侧区域(70)的永磁体(30;31)之间,和在所述中心区域(60)的另一侧布置在所述永磁体的组件(20)的第一元件(21)和第二元件(22)的所述第二侧区域(80)的永磁体(30)之间。

2.根据权利要求1所述的磁场发生器,其特征在于,由具有平行六面体形状的块体组成的所述永磁体(30;31)具有矩形的横截面(30)和/或梯形的横截面(31)。

3.根据权利要求1所述的磁场发生器,其特征在于,所述磁场发生器包括多组各向异性的永磁体(30;31)的组件(20),这些永磁体的组件是相同的并且每组包括唯一的磁隙(40),每组永磁体的组件被设置以产生磁通量并包括这样的部件:其用于将由所述组的永磁体的组件(20)产生的磁通量集中在所述唯一的磁隙(40)的内部。

4.根据权利要求1所述的磁场发生器(100),其特征在于,所述磁场发生器包括多组各向异性的永磁体(30)的组件(20),这些永磁体的组件是不同的、并置的并被设置以形成唯一的磁隙(40),每组永磁体的组件被设置以产生磁通量并包括这样的部件:其用于将由所述组的永磁体的组件(20)产生的磁通量集中在所述唯一的磁隙(40)的内部。

5.根据权利要求1所述的磁场发生器,其特征在于,所述永磁体的组件(20)的所述第一元件(21)和所述第二元件(22)的每个磁场封闭机件(51,52)都具有基本呈圆弧的内型面,所述内型面对应所述永磁体的组件(20)的所述第一元件(21)和第二元件(22)的永磁体(30)根据三个区域(60,70,80)呈圆弧的布置。

6.根据权利要求5所述的磁场发生器,其特征在于,所述永磁体(30;31)被设置在所述永磁体的组件(20)中,以使得:

-在所述中心区域(60)中,永磁体的磁化与对应的磁场封闭机件(51,52)的相邻面至少大概地相切,和

-在所述第一和第二侧区域(70,80)中,永磁体的磁化垂直于对应的磁场封闭机件(51,52)的对应面。

7.根据权利要求5或6所述的磁场发生器,其特征在于,在所述第一和第二侧区域(70,80)中,所述永磁体(30;31)的磁化垂直于对应的磁通量集中器(90)的两构件(91,92)的相邻面。

8.根据权利要求5或6所述的磁场发生器,其特征在于,所述两侧区域(70,80)的永磁体(30)每个安装在对应的磁通量集中器(90)的构件(91,92)之一上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高等工程及管理沃州(HEIG-VD)公司,未经高等工程及管理沃州(HEIG-VD)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080024232.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top