[发明专利]磁场发生器和包括所述磁场发生器的磁热装置无效
申请号: | 201080024232.0 | 申请日: | 2010-06-01 |
公开(公告)号: | CN102483448A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | O·萨里;N·阿尔伯 | 申请(专利权)人: | 高等工程及管理沃州(HEIG-VD)公司 |
主分类号: | G01R33/383 | 分类号: | G01R33/383;H01F7/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 瑞士伊韦尔*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁场 发生器 包括 装置 | ||
1.磁场发生器(10;100;110;120),所述磁场发生器包括至少一个各向异性的永磁体(30;31)的组件(20),所述各向异性的永磁体被设置以产生磁通量和限定一磁隙(40),所述磁通量集中在所述磁隙的内部,
-所述永磁体的组件(20)包括第一元件(21)和第二元件(22),所述第一元件和所述第二元件彼此相面对地安装,相对于垂直于所述磁隙(40)的横向轴线(B-B)的轴线(A-A)对称,
-所述第一元件(21)和所述第二元件(22)的每个都包括至少三个永磁体(30;31),和
-所述永磁体的组件(20)的所述第一元件(21)和所述第二元件(22)基本布置在同一平面中,并且分别被磁场封闭机件(51,52)至少部分地围绕,
其特征在于,所述永磁体的组件(20)的所述第一元件(21)和所述第二元件(22)的所述永磁体(30;31)由具有平行六面体形状的块体组成;
所述永磁体根据三个区域基本呈圆弧布置,该三个区域为:被布置与所述磁隙(40)相面对的中心区域(60);在所述中心区域(60)的一侧布置的第一侧区域(70);和在所述中心区域(60)的另一侧布置的第二侧区域(80),所述第一侧区域(70)和所述第二侧区域(80)的所述永磁体(30;31)具有相对于所述轴线(A-A)相反的磁化方向,所述轴线垂直于所述磁隙(40)的横向轴线(B-B);
并且,组成磁通量集中器(90)的至少两个铁磁材料构件(91)和(92)被布置在所述磁隙(40)两侧,所述至少两个铁磁材料构件分别地在所述中心区域(60)的一侧布置在所述永磁体的组件(20)的第一元件(21)和第二元件(22)的所述第一侧区域(70)的永磁体(30;31)之间,和在所述中心区域(60)的另一侧布置在所述永磁体的组件(20)的第一元件(21)和第二元件(22)的所述第二侧区域(80)的永磁体(30)之间。
2.根据权利要求1所述的磁场发生器,其特征在于,由具有平行六面体形状的块体组成的所述永磁体(30;31)具有矩形的横截面(30)和/或梯形的横截面(31)。
3.根据权利要求1所述的磁场发生器,其特征在于,所述磁场发生器包括多组各向异性的永磁体(30;31)的组件(20),这些永磁体的组件是相同的并且每组包括唯一的磁隙(40),每组永磁体的组件被设置以产生磁通量并包括这样的部件:其用于将由所述组的永磁体的组件(20)产生的磁通量集中在所述唯一的磁隙(40)的内部。
4.根据权利要求1所述的磁场发生器(100),其特征在于,所述磁场发生器包括多组各向异性的永磁体(30)的组件(20),这些永磁体的组件是不同的、并置的并被设置以形成唯一的磁隙(40),每组永磁体的组件被设置以产生磁通量并包括这样的部件:其用于将由所述组的永磁体的组件(20)产生的磁通量集中在所述唯一的磁隙(40)的内部。
5.根据权利要求1所述的磁场发生器,其特征在于,所述永磁体的组件(20)的所述第一元件(21)和所述第二元件(22)的每个磁场封闭机件(51,52)都具有基本呈圆弧的内型面,所述内型面对应所述永磁体的组件(20)的所述第一元件(21)和第二元件(22)的永磁体(30)根据三个区域(60,70,80)呈圆弧的布置。
6.根据权利要求5所述的磁场发生器,其特征在于,所述永磁体(30;31)被设置在所述永磁体的组件(20)中,以使得:
-在所述中心区域(60)中,永磁体的磁化与对应的磁场封闭机件(51,52)的相邻面至少大概地相切,和
-在所述第一和第二侧区域(70,80)中,永磁体的磁化垂直于对应的磁场封闭机件(51,52)的对应面。
7.根据权利要求5或6所述的磁场发生器,其特征在于,在所述第一和第二侧区域(70,80)中,所述永磁体(30;31)的磁化垂直于对应的磁通量集中器(90)的两构件(91,92)的相邻面。
8.根据权利要求5或6所述的磁场发生器,其特征在于,所述两侧区域(70,80)的永磁体(30)每个安装在对应的磁通量集中器(90)的构件(91,92)之一上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高等工程及管理沃州(HEIG-VD)公司,未经高等工程及管理沃州(HEIG-VD)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080024232.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。