[发明专利]具有可变间距的栅格阵列封装的改进的散热系统和方法无效
| 申请号: | 201080024162.9 | 申请日: | 2010-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN102449757A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
| 发明(设计)人: | 李建军;罗伯特·W·沃伦;尼克·罗希 | 申请(专利权)人: | 科胜讯系统公司 |
| 主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 可变 间距 栅格 阵列 封装 改进 散热 系统 方法 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
半导体管芯;
具有顶部表面和底部表面的衬底,所述衬底包括通孔,所述通孔包括导体;
在所述衬底的所述顶部表面上的金属迹线;
在所述底部表面上的包括接口盘的金属迹线,
其中在所述底部表面上的金属迹线将所述接口盘耦合到所述通孔;以及
其中所述底部表面包括第一区域和第二区域,并且在所述第一区域的所述接口盘以第一间距间隔开,以及在所述第二区域的所述接口盘以第二间距间隔开。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,还包括:
在每一接口盘下面的具有开口的焊接掩模;其中,所述焊接掩模中的所述开口在所述第一区域以所述第一间距间隔开,并且所述焊接掩模在所述第二区域以所述第二间距间隔开。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,还包括耦合到每一接口盘的焊球。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述封装件是芯片倒装的BGA。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述封装件是空腔朝下的BGA。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述封装件是PGA或CGA。
7.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述封装件是LGA。
8.如权利要求1所述的半导体封装件,其中在所述顶部衬底上的所述金属迹线包括键合指状物以及将所述管芯耦合到所述键合指状物的键合引线。
9.如权利要求1所述的半导体封装件,其中在所述顶部衬底上的所述金属迹线包括通孔盘,所述管芯被芯片倒装到所述通孔盘。
10.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述通孔包括电通孔和热通孔,并且在所述第一区域中的所述接口盘被耦合到所述电通孔以及在所述第二区域中的所述接口盘被耦合到所述热通孔。
11.如权利要求10所述的半导体封装件,其中所述电通孔具有涂覆有导体的壁以及所述热通孔填充有导体。
12.一种封装半导体管芯的方法,包括:
在具有顶部表面和底部表面并具有第一区域和第二区域的衬底中创建通孔;
将导体添加到所述通孔;
在所述顶部表面上形成金属迹线;
在所述底部表面上形成金属迹线,其中所述金属迹线包括在所述第一区域以第一间距间隔开的接口盘和在所述第二区域以第二间距间隔开的接口盘;
将所述半导体管芯连接到所述顶部表面;
将所述半导体管芯电连接到在所述顶部表面上的所述金属迹线;以及
将所述封装件密封在模制化合物中。
13.如权利要求12所述的方法,其中在所述顶部表面上的所述金属迹线包括键合指状物以及所述电连接包括将键合引线连接在所述管芯和所述键合指状物之间。
14.如权利要求12所述的方法,其中在所述顶部表面上的所述金属迹线包括通孔盘以及所述电连接包括将所述管芯芯片倒装到所述通孔盘上。
15.如权利要求12所述的方法,还包括形成焊接掩模以覆盖在所述底部表面上的所述金属迹线,其中所述焊接掩模在每一接口盘下面具有开口。
16.如权利要求12所述的方法,还包括在每一接口盘下面附上引脚。
17.如权利要求12所述的方法,还包括将焊球连接到每一接口盘。
如权利要求12所述的方法,其中所述通孔具有壁,并且其中将导体添加到所述通孔包括用导体涂覆所述通孔的壁。
18.如权利要求12所述的方法,其中将导体添加到所述通孔包括用导体填充所述通孔。
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