[发明专利]金属基板和光源装置无效
| 申请号: | 201080023984.5 | 申请日: | 2010-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN102460750A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
| 发明(设计)人: | 佐藤义人;新居信广;松井纯;山田绅月;铃木秀次 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L23/12;H01L33/64 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;赵曦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 光源 装置 | ||
1.一种金属基板,其具有用于搭载作为光源的半导体芯片的光源搭载面,其特征在于:
该金属基板具有由Au以外的金属形成的放热金属板、层合在该放热金属板上的一部分上的绝缘树脂制的白色薄膜、和层合在该放热金属板上的其他部分上的光源搭载面形成层,
上述光源搭载面形成层是与上述放热金属板直接接触的金属层,
上述光源搭载面是成为上述光源搭载面形成层的最表层的Au层的表面。
2.权利要求2所述的金属基板,其中,所述白色薄膜在波长400nm~800nm范围内的平均反射率为70%以上。
3.权利要求1或2所述的金属基板,其中,所述白色薄膜在260℃热处理5分钟后、在波长470nm下的反射率降低率为10%以下。
4.权利要求1~3中任一项所述的金属基板,其中,所述白色薄膜具有薄膜的移动方向MD和与移动方向正交的方向TD,MD的线性膨胀系数和TD的线性膨胀系数的平均值为35×10-6/℃以下。
5.权利要求1~4中任一项所述的金属基板,其中,所述白色薄膜具有贯通孔,在该贯通孔的位置形成所述光源搭载面形成层。
6.一种金属基板,其中,所述白色薄膜具有多个贯通孔,在该多个贯通孔的各位置形成所述光源搭载面形成层。
7.权利要求1~6中任一项所述的金属基板,其特征在于:所述光源搭载面形成层在所述成为最表层的Au层的正下方含有Ni层。
8.一种光源装置,其具备作为光源的半导体芯片、具有用于搭载该半导体芯片的光源搭载面的金属基板,该半导体芯片搭载在该光源搭载面上,其特征在于:
该金属基板具有由Au以外的金属形成的放热金属板、层合在该放热金属板上的一部分上的绝缘树脂制的白色薄膜、和层合在该放热金属板上的其他部分上的光源搭载面形成层,
所述光源搭载面形成层是与所述放热金属板直接接触的金属层,
所述光源搭载面是成为所述光源搭载面形成层的最表层的Au层的表面。
9.权利要求8所述的光源装置,其中,所述半导体芯片是垂直电极型LED芯片或具有导电性基板的水平电极型LED芯片,该LED芯片固定在固定于所述光源搭载面上的基座上。
10.权利要求9所述的光源装置,其中,所述基座具备陶瓷板、和在该陶瓷板各主面上分别形成的镀金属层。
11.权利要求8~10中任一项所述的光源装置,其特征在于,该光源装置具备荧光体,该荧光体吸收所述半导体芯片释放的一次光,并释放具有与该一次光的波长不同的波长的二次光,该荧光体以夹持空隙的方式配置在远离所述半导体芯片和所述光源搭载面的位置上。
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