[发明专利]气体的除去或无害化方法无效

专利信息
申请号: 201080023875.3 申请日: 2010-05-28
公开(公告)号: CN102448584A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 绪方四郎;松井义光 申请(专利权)人: 萨斯堤那普尔科技股份有限公司
主分类号: B01D53/32 分类号: B01D53/32;B01J35/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 气体 除去 无害化 方法
【权利要求书】:

1.一种负性气体分子的除去方法,包含下述工序:

使基体吸附负性气体分子的工序,所述基体在基体表面上或基体表面层中具有正电荷物质或具有正电荷物质和负电荷物质;和

利用流体使吸附在所述基体上的所述负性气体分子从所述基体脱离的工序。

2.如权利要求1所述的方法,其中,所述负性气体分子为二氧化碳。

3.一种负性气体分子的无害化方法,包含下述工序:

使基体吸附负性气体分子的工序,所述基体在基体表面上或基体表面层中具有正电荷物质或具有正电荷物质和负电荷物质;

从吸附在所述基体上的所述负性气体分子中除去电子,形成中性气体分子的工序;和

使所述中性气体分子从所述基体脱离的工序。

4.如权利要求3所述的方法,其中,所述负性气体分子为氧、臭氧、卤素气体、氟化合物、氯化合物、氮氧化物、或硫氧化物、或它们的离子。

5.如权利要求1~4中任一项所述的方法,其中,所述正电荷物质为选自由下述物质组成的组中的一种、或两种以上,

(1)阳离子;

(2)具有正电荷的导电体或电介体;和

(3)具有正电荷的导电体与电介体或半导体、的复合体。

6.如权利要求1~5中任一项所述的方法,其中,所述负电荷物质为选自由下述物质组成的组中的一种或两种:

(4)阴离子;

(5)具有负电荷的导电体或电介体;

(6)具有负电荷的导电体与电介体或半导体、的复合体;

(7)具有光催化功能的物质。

7.一种负性基体分子的除去或无害化用基体,在基体表面上或基体表面层中具有正电荷物质或具有正电荷物质和负电荷物质。

8.如权利要求7所述的基体,其中,在表面的至少一部分具有微细凹凸或微细孔。

9.一种制造权利要求8所述的基体的方法,其特征在于,将含有碳和/或热分解性有机化合物、以及氧化钛和/或有机硅化合物和/或无机硅化合物的反射率降低剂涂布在基体表面,进行加热或常温下干燥;

或者将不含碳和/或热分解性有机化合物但含有氧化钛和/或有机硅化合物和/或无机硅化合物的反射率降低剂涂布在基体表面,进行加热或常温下干燥。

10.如权利要求7或8所述的基体,其中,所述基体的至少一部分具有透光性。

11.一种光学元件、光电池、运输工具或建筑部件,其具备权利要求7、8或10所述的基体。

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