[发明专利]通过局部激光辅助转变太阳能电池中的功能膜得到的局部金属接触

权利要求书

1.在太阳能电池的层中形成至少一个电接触的方法，其包括：

在所述太阳能电池中形成层，所述层包含可在激光辐射下选择性地转变成电接触的材料；和

在所述层的至少一个区域上施加选择性激光辐射，从而在所述层的所述区域中形成至少一个电接触。

2.权利要求1所述的方法，其中所述层的剩余区域包括所述太阳能电池的功能层，并且无需除去。

3.前述权利要求之一所述的方法，其中所述上层包括透明层。

4.前述权利要求之一所述的方法，其中所述上层包括透明导电膜。

5.前述权利要求之一所述的方法，其中所述上层包括抗反射层。

6.前述权利要求之一所述的方法，其中所述上层包括钝化介电膜层。

7.前述权利要求之一所述的方法，其中所述材料包括透明绝缘二元系陶瓷复合材料或其它金属复合材料。

8.前述权利要求之一所述的方法，其中所述至少一个电接触向所述太阳能电池的上层之下的至少一个区域提供导电通路。

9.前述权利要求之一所述的方法，其中所述材料包括金属氮化物或金属碳化物复合材料，并且所述激光辐射氧化所述氮化物，由此形成所述至少一个电接触。

10.前述权利要求之一所述的方法，其中所述激光辐射在氧化性环境中进行。

11.权利要求10所述的方法，其中所述氧化性环境包含气态氧。

12.前述权利要求之一所述的方法，其中所述激光辐射将金属还原成所述至少一个电接触。

13.权利要求12所述的方法，其中所述激光辐射在还原性环境中进行。

14.权利要求13的方法，其中所述还原性环境包含气态氢或氢气和氮气的混合物或甲醇或乙醇。

15.前述权利要求之一所述的方法，其还包括镀敷所述至少一个电接触。

16.前述权利要求之一所述的方法，其中所述上层形成于包含掺杂半导体材料的下层掺杂区之上。

17.权利要求16的方法，其中所述上层中的金属与所述掺杂半导体材料是相同的掺杂剂类型。

18.权利要求17的方法，其中所述激光辐射使所述金属扩散到下层掺杂区中。

19.权利要求18的方法，其中所述上层的转变区形成与下层掺杂区的电接触。

20.前述权利要求之一所述的方法，其还包括在施加选择性激光辐射使金属离子扩散到下层掺杂区之后对所述太阳能电池进行热处理。

21.在太阳能电池中形成接触金属化的方法，其包括：

沉积包含金属氮化物、金属碳化物或金属氧化物化合物的层；和

在所述层的需要金属化的区域上施加激光辐射，从而将所述层的所述区域中化合物组成的氧化态转变成导电金属接触。

22.根据权利要求1-21之一所述的方法制得的太阳能电池结构。

23.太阳能电池，其包括为所述太阳能电池提供至少一种功能的上层，其中所述上层包含能够利用激光辐射转变成导电接触的材料。

24.权利要求23的太阳能电池，其还包括在所述上层中一体形成的至少一个电接触。

25.权利要求24所述的太阳能电池，其中所述至少一个电接触包括随机分布的多个接触，所述接触能够使正面栅极图形与所述太阳能电池的下层进行无需对准的接触。

26.权利要求24-25之一所述的太阳能电池，其中所述电接触向所述太阳能电池的上层之下的至少一个区域提供导电通路。

27.权利要求24-26之一所述的太阳能电池，其还包括在所述至少一个接触上形成的金属镀层。

28.权利要求23-27之一所述的太阳能电池，其中所述上层是透明的。