[发明专利]在应变薄膜上植入有冷和/或分子碳的升起式源极/漏极的形成方法

权利要求书

1.一种用于形成具有升起式源极/漏极区的半导体装置的方法，包括：

提供半导体结构，其包括具有通道区的硅基板；

在所述半导体结构内形成应变层，所述应变层位于所述通道区的任一侧，所述应变层是藉由离子植入步骤而形成，所述离子植入步骤包括冷碳离子植入或分子碳离子植入；

藉由在所述应变层中的每一个上沉积硅层，而在所述应变层上方形成升起式源极/漏极区；

掺杂所述升起式源极/漏极区；以及

使所述半导体结构退火，以激活所述升起式源极/漏极区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成应变层的步骤包括多个离子植入步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在自约+15℃至-100℃的温度下执行所述冷离子植入步骤。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述离子植入步骤包括使用分子碳的离子植入技术。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂步骤包括将包括磷、砷及锑中的至少一个的离子植入所述升起式源极/漏极区中。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述形成应变层的步骤之后，且在所述在所述应变层中的每一个上沉积硅层的步骤之前，执行应变层退火步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述应变层退火步骤包括毫秒退火技术。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述使所述半导体结构退火以在所述应变层中产生应变的步骤包括多个退火步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述使所述半导体结构退火以激活所述升起式源极/漏极区的步骤包括毫秒退火技术。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成应变层的步骤包括在所述基板内的不同深度植入C离子的多个离子植入步骤。

11.一种用于形成具有升起式源极/漏极区的半导体装置的方法，包括：

提供半导体结构；

使用多个离子植入步骤在所述半导体结构内形成多个应变层，所述多个离子植入步骤包括冷碳离子植入或分子碳离子植入，所述应变层位于所述结构的通道区的任一侧；

在所述多个应变层中的每一个上沉积硅层，以在所述应变层上方形成多个升起式源极/漏极区；

掺杂所述多个升起式源极/漏极区；以及

使用毫秒退火技术使所述半导体结构退火，以激活所述升起式源极/漏极区。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述形成多个应变层的步骤包括多个离子植入步骤。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在自约+15℃至-100℃的温度下执行所述冷离子植入步骤。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述离子植入步骤包括使用分子碳的离子植入技术。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述掺杂步骤包括将包括磷、砷及锑中的至少一个的离子植入所述升起式源极/漏极区中。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述形成多个应变层的步骤之后，且在所述在应变层中的每一个上沉积硅层的步骤之前，执行应变层退火步骤。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述应变层退火步骤包括毫秒退火技术。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述应变层退火步骤包括多个退火步骤。

19.根据权利要求11所述的方法，其中所述使所述半导体结构退火以激活所述升起式源极/漏极区的步骤包括毫秒退火技术。

20.根据权利要求11所述的方法，其中所述形成多个应变层的步骤包括在所述半导体结构内的不同深度处植入C离子的多个离子植入步骤。