[发明专利]包括伪电阻、电阻切换元件及二极管的多位电阻切换存储器单元的写入

权利要求书

1.一种非易失性存储设备，包括

一组Y线；

一组X线；以及

多个存储器单元，所述多个存储器单元与该组X线和该组Y线连通，所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括：

处于静态电阻状态的电阻元件，以及

两个或更多个可逆电阻切换元件，所述处于静态电阻状态的电阻元件以及所述两个或更多个可逆电阻切换元件连接至该组Y线中的不同Y线，所述处于静态电阻状态的电阻元件以及所述两个或更多个可逆电阻切换元件连接至该组X线中的公共X线。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中，

通过在连接至所述多个存储器单元中的特定存储器单元的Y线之间产生电流流动，将多位数据编程到所述特定存储器单元中。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储设备，其中，

通过用于所述多个存储器单元中的特定存储器单元的Y线之间的电流流动，将所述特定存储器单元的所述可逆电阻切换元件中的一个或更多个设置成低电阻状态。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的非易失性存储设备，其中，

通过连接至所述特定存储器单元的所述可逆电阻切换元件中的特定可逆电阻切换元件的Y线与所述公共X线之间的电流流动，将所述可逆电阻切换元件中的所述特定可逆电阻切换元件设置成高电阻状态。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的非易失性存储设备，还包括：

第一类型半导体区域，所述第一类型半导体区域沿着所述公共X线延伸；以及

第二类型半导体区域，所述第二类型半导体区域与所述第一类型半导体区域邻近，所述第二类型半导体区域中的每个半导体区域各自与所述处于静态电阻状态的电阻元件或者所述可逆电阻切换元件之一邻近，用于所述特定存储器单元的Y线之间的所述电流流动包括类似晶体管地进行工作的所述第一类型半导体区域和所述第二类型半导体区域。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的非易失性存储设备，还包括：

轨状的第一类型半导体区域，所述轨状的第一类型半导体区域沿着所述公共X线延伸；

柱状的第二类型半导体区域，所述柱状的第二类型半导体区域与所述第一类型半导体区域邻近，所述第二类型半导体区域中的每个与所述可逆电阻切换元件之一邻近，所述可逆电阻切换元件为柱状；以及

附加柱状的第二类型半导体区域，所述附加柱状的第二类型半导体区域中的每个与所述处于静态电阻状态的电阻元件之一邻近，所述处于静态电阻状态的电阻元件永久地处于低电阻状态，所述可逆电阻切换元件能够在低电阻状态与高电阻状态之间切换。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的非易失性存储设备，其中，

所述多个存储器单元中的特定存储器单元的所述处于静态电阻状态的电阻元件连接至第一Y线；

所述特定存储器单元的第一可逆电阻切换元件连接至第二Y线；

所述特定存储器单元的第二可逆电阻切换元件连接至第三Y线；

通过使电流从所述第一Y线经由所述处于静态电阻状态的电阻元件流至所述第二Y线，将所述第一可逆电阻切换元件变成第一状态；

通过使电流从所述第二Y线经由所述第一可逆电阻切换元件流至所述第三Y线，将所述第二可逆电阻切换元件变成所述第一状态；

通过使电流从所述第二Y线流至所述公共X线，将所述第一可逆电阻切换元件从所述第一状态变为第二状态；

通过使电流从所述第三Y线流至所述公共X线，将所述第二可逆电阻切换元件从所述第一状态变为所述第二状态；以及

所述静态电阻状态为导电状态。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的非易失性存储设备，其中，

所述处于静态电阻状态的电阻元件永久地处于导电状态。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的非易失性存储设备，其中，

所述多个存储器单元包括三维单片存储器阵列。