[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括：

在第一导电率的第一半导体区前侧的表面层中选择性地形成屏蔽膜；

经由第一绝缘膜在所述第一半导体区上形成与所述屏蔽膜间隔开的控制电极；

使用所述屏蔽膜和控制电极作为掩模在所述第一半导体区的表面层中形成第二导电率的第二半导体区，并且再次使用所述屏蔽膜和控制电极作为掩模在所述第二半导体区的表面层中选择性地形成所述第一导电率的第三半导体区；

形成第二绝缘膜来覆盖所述控制电极并且去除所述屏蔽膜；

形成与所述第三半导体区接触并且通过所述第二绝缘膜与所述控制电极绝缘的第一电极；以及

在所述第一半导体区的后侧形成第二电极，其中

所述控制电极经由所述第一绝缘膜在所述第二半导体区的表面上形成，所述第二半导体区被所述第一半导体区和第三半导体区夹在中间。

2.如权利要求1所述的制造方法，还包括：

通过经由所述屏蔽膜植入杂质浓度比所述第一半导体区大的所述第一导电率的杂质离子，在所述第一半导体区的表面层中形成所述第一导电率的对区，所述对区在形成所述屏蔽膜之后形成，其中

所述第二半导体区在所述第一半导体区中的对区的表面层中形成，以及

所述控制电极经由所述第一绝缘膜在所述第二半导体区的表面上形成，所述第二半导体区被所述第一半导体区中的所述对区和第三半导体区夹在中间。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

使用氮化膜来形成所述屏蔽膜。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

使用通过化学气相沉积产生的氧化膜来形成所述屏蔽膜。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

使用通过热氧化产生的氧化膜来形成所述屏蔽膜。

6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，

在形成所述屏蔽膜时，所述屏蔽膜被形成为所述屏蔽膜的至少一部分与所述控制电极紧邻地设置在所述控制电极下方，以及

在去除所述屏蔽膜时，不去除所述屏蔽膜的与所述控制电极紧邻地设置在所述控制电极下方的部分。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，

在形成所述屏蔽膜时，所述屏蔽膜被形成为所述屏蔽膜的所述部分与所述控制电极紧邻地设置在所述控制电极下方并且未到达所述第二半导体区的任何边缘。

8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，

在形成所述屏蔽膜时，所述屏蔽膜被形成为所述屏蔽膜的所述部分与所述控制电极紧邻地设置在所述控制电极下方并且到达所述第二半导体区的边缘。

9.如权利要求1所述的制造方法，还包括：

在形成所述第二绝缘膜和去除所述屏蔽膜之后，通过使用所述第二绝缘膜作为掩模从所述第二半导体区的表面层以近似于所述杂质离子的加速电压的电压植入所述第二导电率的杂质离子来穿透所述第三半导体区，从而形成所述第二导电率的高浓度区。

10.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括：

经由第一绝缘膜在第一导电率的第一半导体区前侧的表面层中形成控制电极，并且形成屏蔽膜以使所述屏蔽膜和控制电极之间的区域成为用于形成所述第一导电率的第三半导体区的区域；

使用所述屏蔽膜和控制电极作为掩模在所述第一半导体区的表面层中形成第二导电率的第二半导体区，并且再次使用所述屏蔽膜和控制电极作为掩模在所述第二半导体区的表面层中选择性地形成第三半导体区；

形成第二绝缘膜来覆盖所述控制电极并且去除所述屏蔽膜；

形成与所述第三半导体区接触并且通过所述第二绝缘膜与所述控制电极绝缘的第一电极；以及

在所述第一半导体区的后侧形成第二电极，其中

所述控制电极经由所述第一绝缘膜在所述第二半导体区的表面上形成，所述第二半导体区被所述第一半导体区和第三半导体区夹在中间。