[发明专利]光伏装置

权利要求书

1.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括以下步骤：

将透明导电氧化物层沉积为与基底相邻；

将半导体窗口层沉积为与透明导电氧化物层相邻；

将半导体吸收层沉积为与半导体窗口层相邻，其中，半导体窗口层和半导体吸收层中的一个或多个包括载流子浓度调节剂；以及

将背接触层沉积为与半导体吸收层相邻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，半导体窗口层和半导体吸收层中的一个或多个包括II-VI族半导体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，半导体窗口层包含硫化镉。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，半导体吸收层包括碲化镉。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，载流子浓度调节剂包含氧。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，载流子浓度调节剂包含硅。

7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括增大半导体窗口层中的载流子浓度的手段。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还减小半导体吸收层中的载流子浓度的手段。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括向半导体吸收层中添加含硅材料的手段。

10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括向半导体吸收层中添加含氧材料的手段。

11.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括向半导体窗口层中添加含氧材料的手段。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括向半导体吸收层和半导体窗口层中添加含氧材料的手段。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积半导体吸收层的步骤包括从镉和碲源的气相传输沉积。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，气相传输沉积包括将包含氧的材料与镉和碲源混合。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，气相传输沉积包括将包含硅的材料与镉和碲源混合。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积半导体吸收层的步骤包括使用包含氧的前驱体。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积半导体吸收层的步骤包括使用包含硅的前驱体。

18.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在包含氧的环境中对半导体吸收层和半导体窗口层进行沉积后处理的步骤。

19.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在包含硅的环境中对半导体吸收层和半导体窗口层进行沉积后处理的步骤。

20.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括沉积包含氧的附加层的步骤，其中，附加层的氧能够扩散到半导体吸收层和半导体窗口层中。

21.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括沉积包含硅的附加层的步骤，其中，附加层的硅能够扩散到半导体吸收层和半导体窗口层中。

22.根据权利要求1所述的方法，其中，透明导电氧化物层包含氧，其中，透明导电氧化物层的氧能够扩散到半导体吸收层和半导体窗口层中。

23.根据权利要求1所述的方法，其中，透明导电氧化物层包含硅，其中，透明导电氧化物层的硅能够扩散到半导体吸收层和半导体窗口层中。

24.根据权利要求1所述的方法，其中，背接触层包含氧，其中，背接触层的氧能够扩散到半导体吸收层和半导体窗口层中。

25.根据权利要求1所述的方法，其中，背接触层包含硅，其中，背接触层的硅能够扩散到半导体吸收层和半导体窗口层中。

26.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括向半导体吸收层中添加包含第IV族元素的材料的手段。

27.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括向半导体窗口层中添加包含第IV族元素的材料的手段。