[发明专利]多结光伏电池的制造

权利要求书

1.一种用于制造多结光伏(PV)电池的方法，该方法包括：

在衬底上形成包括多个结的堆，所述多个结中的每一个都具有相应的能带隙，其中所述多个结从具有最大能带隙的结位于所述衬底上到具有最小能带隙的结位于所述堆的顶部来排序；

在所述具有最小能带隙的结之上形成金属层，该金属层具有拉伸应力；

将柔性衬底粘附到所述金属层；及

在所述衬底中的裂缝处从所述衬底剥离半导体层，其中所述裂缝是响应于所述金属层中的拉伸应力而形成的。

2.如权利要求1所述的方法，还包括蚀刻所述半导体层，以形成至少一个半导体触点。

3.如权利要求2所述的方法，其中，半导体触点层是大约200纳米到500纳米之间厚。

4.如权利要求2所述的方法，还包括在所述具有最大能带隙的结上形成包括基于氧化物或氮化物的薄膜的抗反射涂层。

5.如权利要求2所述的方法，还包括在所述至少一个半导体触点上形成至少一个金属电极，所述至少一个金属电极包括对所述至少一个半导体触点的欧姆接触。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括镍。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括砷化镓或者锗中的一种。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述柔性衬底包括聚酰亚胺。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括用于所述多结PV电池的背触点。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个结包括3个结，而且所述包括多个结的堆的厚度小于大约15微米。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层小于大约10微米厚。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个结中的一个或多个处于压缩应变中，该压缩应变是由所述金属层中的拉伸应力导致的。

13.如权利要求11所述的方法，其中，所述衬底包括位于半导体衬底上的籽层、位于所述籽层上的蚀刻停止/释放层、位于所述蚀刻停止/释放层上的第二籽层、以及位于所述第二籽层上的蚀刻停止层，其中所述具有最大能带隙的结形成在所述蚀刻停止层上，而且其中所述裂缝形成在所述第二籽层中。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个结中的每一个都包括：触点层、位于所述触点层上的窗口层、位于所述窗口层上的发射极层、位于所述发射极层上的基极层、位于所述基极层上的背面电场、位于所述背面电场上的背触点及位于所述背触点上的隧道结。

15.如权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底中形成裂开层，该裂开层配置成确定所述裂缝的位置。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述裂开层包括在衬底内的锗锡(GeSn)、氢化层或者界面层中的一个。

17.一种多结光伏(PV)电池，包括：

至少一个半导体触点；

包括多个结的堆，所述多个结中的每一个都具有相应的能带隙，其中所述多个结从具有最大能带隙的结位于所述至少一个半导体触点上到具有最小能带隙的结位于所述堆的顶部来排序；

具有拉伸应力的金属层，该金属层位于所述具有最小能带隙的结之上，该金属层包括背触点；及

粘附到所述金属层的柔性衬底。

18.如权利要求17所述的多结PV电池，其中，所述半导体触点是大约200纳米到500纳米之间厚，而且所述半导体触点包括锗或砷化镓中的一种；其中所述柔性衬底包括聚酰亚胺；而且其中所述金属层包括镍。

19.如权利要求17所述的多结PV电池，还包括在所述具有最大能带隙的结上的抗反射涂层及在所述至少一个半导体触点上的至少一个金属电极，该抗反射涂层包括基于氧化物或者氮化物的薄膜，所述至少一个金属电极包括对所述至少一个半导体触点的欧姆接触。

20.如权利要求17所述的多结PV电池，其中，所述多个结中的一个或多个处于压缩应变下，该压缩应变是由所述金属层中的拉伸应力导致的。