[发明专利]一种有机发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：

基板；

在所述基板上形成的第一电极；

在所述第一电极上形成的有机层；

在所述有机层上形成的第二电极；以及

在所述有机层和所述第二电极之间的位置和所述第二电极的上表面的位置的两者当中的任何一个或两者上形成的含有选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种的透明层。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述氧化物含有选自由MoO₃、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO₂、SiO₂、WO₃、Al₂O₃、Cr₂O₃、TeO₂和SrO₂组成的组中的任何一种。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述氮化物含有选自由SiN和AlN组成的组中的任何一种。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述盐含有选自由Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF和ZnSe组成的组中的任何一种。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述透明层具有的厚度范围为0.1nm到小于100nm之间。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述有机层包括通过掺杂选自由具有低逸出功的金属及其化合物组成的组中的任何一种而形成的电子传输层，以促进来自所述第二电极的电子的注入。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述具有低逸出功的金属含有选自由Cs、Li、Na、K和Ca组成的组中的任何一种。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，金属的所述化合物含有选自由Li-Al、LiF、CsF和Cs₂CO₃组成的组中的任何一种。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，依赖于以nm计的波长，所述有机发光二极管的透射比为70～99％。

10.一种有机发光二极管的制备方法，该方法包括：

在基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成有机层；

在所述有机层上形成第二电极，以及

在所述有机层和所述第二层电极之间的位置和所述第二层电极的上表面的位置的两者当中的任何一个或两者上形成含有选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种的透明层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述氧化物含有选自由MoO₃、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO₂、SiO₂、WO₃、Al₂O₃、Cr₂O₃、TeO₂和SrO₂组成的组中的任何一种。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述氮化物含有选自由SiN和AlN组成的组中的任何一种。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述盐含有选自由Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF和ZnSe组成的组中的任何一种。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述透明层的形成通过将选自由氧化物、氮化物、盐以及它们的混合物组成的组中的任何一种形成为厚度范围为0.1nm到小于100nm之间来实现。