[发明专利]用于产生针对晶片的检查过程的方法和系统有效
| 申请号: | 201080021084.7 | 申请日: | 2010-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN102422405A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
| 发明(设计)人: | 熊艳 | 申请(专利权)人: | 恪纳腾公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人: | 严慎 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 产生 针对 晶片 检查 过程 方法 系统 | ||
1.一种计算机实现的方法,所述方法用来产生针对晶片的检查过程,所述方法包括:
基于会在所述晶片的设计内的不同部位造成至少一种类型的故障机制的缺陷,分别确定针对所述不同部位的局部属性值;
基于所述局部属性值确定灵敏度,将采用所述灵敏度针对与所述设计内的所述不同部位对应的所述晶片上的不同部位报告缺陷;以及
基于所确定的所述灵敏度产生针对所述晶片的检查过程。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述局部属性值是会在所述不同部位造成至少一种类型的故障机制的所述缺陷的临界半径。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述局部属性值被根据以下内容来确定:在所述不同部位的所述设计的一个或更多个特征的至少一个尺寸、与所述不同部位毗邻的所述设计的一个或更多个特征,或者它们的某种组合。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,使用所述设计的设计数据来执行分别确定所述局部属性值的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,基于以下内容来执行分别地确定所述局部属性值的步骤:会在所述不同部位造成所述至少一种类型的故障机制的所述缺陷以及将执行所述检查过程的检查系统的一个或更多个参数。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述不同部位遍及整个所述设计。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述局部属性值与所述灵敏度成反比关系。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所确定的所述灵敏度与将在所述晶片上的所述不同部位检测缺陷所采用的灵敏度不同。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述灵敏度是将在所述晶片上的所述不同部位检测缺陷并且针对所述晶片上的所述不同部位报告所述缺陷所采用的灵敏度。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述灵敏度是对于所述检查过程期间针对所述晶片产生的输出中的各个输出的特性的幅度的灵敏度。
11.根据权利要求1所述的方法,还包括根据所述设计内的不同部位产生所述局部属性值的图,其中,使用所述图执行确定所述灵敏度的步骤。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述灵敏度的步骤包括产生所述灵敏度的图,将采用所述灵敏度的图根据所述设计内的所述不同部位针对所述晶片上的所述不同部位报告所述缺陷。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述灵敏度的步骤包括:基于所述局部属性值将所述设计内的所述不同部位分配给不同的组,由此将与所述设计内将具有至少近似的噪声统计的不同部位对应的所述晶片上的不同部位分配到同一组。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述灵敏度的步骤包括:基于所述局部属性值将所述设计内的所述不同部位分配给不同的分段,并且分别针对所述不同的分段估计噪声统计,并且其中,所述噪声统计是针对输出的噪声统计,在所述检查过程期间将要在与被分配到所述不同的分段的所述设计内的不同部位对应的所述晶片上的所述不同部位上产生所述输出。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述灵敏度的步骤包括:基于所述局部属性值将所述设计内的所述不同部位分配到不同的分段,分别针对所述不同的分段估计噪声统计,并且基于所述噪声统计针对所述不同的分段确定所述灵敏度,并且其中,在所述检查过程期间将要在与被分配到所述不同的分段的所述设计内的不同部位对应的所述晶片上的所述不同部位上产生所述输出。
16.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述灵敏度的步骤包括:将所述局部属性值的整个范围内的不同部分分配给不同的分段,基于被分配给所述不同的分段的所述不同部分中的所述局部属性值分别确定针对所述不同的分段的不同灵敏度,并且基于针对所述不同部位确定的所述局部属性值降低的所述不同部分将所述设计内的所述不同部位分配给所述不同的分段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





