[发明专利]用于光刻技术的检查方法

权利要求书

1.一种确定在光刻工艺中使用的光刻设备在衬底上的聚焦的方法，所述方法包括下列步骤：

(a)使用所述光刻工艺在所述衬底上形成至少两个周期结构，每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有随着所述光刻设备在所述衬底上的聚焦的不同函数而变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度；

(b)测量通过引导辐射束到所述至少两个周期结构上而产生的光谱；

(c)由所测光谱确定所述特征中的每一个特征的不对称度的比值；和

(d)使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系来确定衬底上的聚焦。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在包括下列步骤的校准步骤中确定每一个特征的聚焦和侧壁角不对称度之间的关系：

(a)使用光刻工艺以在特性已知的测试衬底上形成对应所述至少两个结构的结构；和

(b)对于多个不同的聚焦设置，测量通过引导辐射束到所述测试衬底上的结构上而形成的光谱；和

(c)使用模拟和所测光谱以得出针对于每一个结构的所述关系。

3.如权利要求1所述的方法，其中，测量衍射光谱的第-1级和第+1级的至少一部分。

4.如权利要求1所述的方法，其中，通过测量所测光谱的部分的强度来测量不对称度。

5.一种角分辨散射仪，配置用以确定在光刻工艺中使用的光刻设备在衬底上的聚焦、以在所述衬底上形成至少两个周期结构，每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有随着光刻设备在衬底上的聚焦的不同函数而变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度；

(a)所述散射仪包括：

(b)检测布置，适于测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而形成的光谱的至少一部分；

(c)确定布置，适于由所测光谱确定所述特征中的每一个特征的不对称度的比值，并且使用所确定的比值以及每一个特征的侧壁不对称度和聚焦之间的关系来确定所述衬底上的聚焦。

6.如权利要求5所述的散射仪，其中，所述检测布置适于测量衍射光谱的第-1级和第+1级。

7.如权利要求5所述的散射仪，其中，通过测量所测光谱的所述部分的强度来测量不对称度。

8.一种光刻系统，包括：

(a)光刻设备，包括：

(b)照射光学系统，布置用以照射图案；

(c)投影光学系统，布置用以将图案的图像投影到衬底上；和

(d)如权利要求5所述的角分辨散射仪。

9.一种光刻单元，包括：

(a)旋涂器，布置用以用辐射敏感层涂覆衬底；

(b)光刻设备，布置用以将图像曝光到由所述旋涂器涂覆到衬底上的辐射敏感层上；

(c)显影器，布置用以对由光刻设备曝光的图像进行显影；和

(d)如权利要求5所述的角分辨散射仪。

10.一种确定在光刻工艺中使用的光刻设备在衬底上的聚焦的方法，所述方法包括下列步骤：

(a)使用所述光刻工艺在衬底上形成至少两个目标，每个目标具有随着光刻设备在衬底上的聚焦的不同函数而变化的至少一个参数；

(b)测量通过引导辐射束到至少两个目标上而产生的光谱；

(c)使用由所测光谱得出的至少两个目标的参数来确定所述参数和基本上与光刻设备的处理条件无关的聚焦之间的关系。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述一个参数是在每个目标上的结构的相对的侧壁角之间的不对称度。

12.如权利要求11所述的方法，其中，从所测光谱由所述特征中的每一个特征的不对称度的比值部分地确定所述关系。

13.如权利要求11所述的方法，其中，在包括下列步骤的校准步骤中部分地确定针对每一个特征的聚焦和侧壁角不对称度之间的关系：

(a)使用光刻工艺以在特性已知的测试衬底上形成对应于所述至少两个结构的结构；和

(b)对于多个不同的聚焦设置，测量通过引导辐射束到所述测试衬底上的结构上而形成的光谱；和

(c)使用模拟和所测光谱以得出针对于每一个结构的所述关系。