[发明专利]III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，

包含：

第一导电型覆层，其设置于包含第一六方晶系III族氮化物半导体的半导体区域的主面上，并包含第二六方晶系III族氮化物半导体，

第一光导层，其设置于所述第一导电型覆层上，并包含第三六方晶系III族氮化物半导体，

载流子阻挡层，其包含第四六方晶系III族氮化物半导体，和

有源层，其设置于所述第一导电型覆层与所述载流子阻挡层之间；

所述半导体区域的所述主面相对于与该第一六方晶系III族氮化物半导体的c轴正交的基准面成10度以上的角度，

所述第一导电型覆层在所述半导体区域的所述主面上产生晶格弛豫，

所述第一导电型覆层、所述第一光导层、所述有源层及所述载流子阻挡层排列在所述半导体区域的所述主面的法线轴的方向上，

所述载流子阻挡层中含有应变，且所述有源层包含含有应变的半导体层，

所述第一光导层在所述第一导电型覆层的主面上产生晶格弛豫，

所述半导体区域的所述主面显示无极性和半极性中的任意一者，

所述第一导电型覆层在所述半导体区域的所述主面上产生晶格弛豫。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，

所述第一六方晶系III族氮化物半导体的c轴方向与该c轴方向的晶格常数d1的大小由晶格向量LVC1表示，

所述第二六方晶系III族氮化物半导体的c轴方向与该c轴方向的晶格常数d2的大小由晶格向量LVC2表示，

所述晶格向量LVC1包含所述法线轴方向的纵向分量V1_L和与所述纵向分量正交的横向分量V1_T，

所述晶格向量LVC2包含所述法线轴方向的纵向分量V2_L和与所述纵向分量正交的横向分量V2_T，

所述横向分量V1_T与所述横向分量V2_T不同。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，

所述第三六方晶系III族氮化物半导体的c轴方向与该c轴方向的晶格常数d3的大小由晶格向量LVC3表示，

所述晶格向量LVC3包含所述法线轴方向的纵向分量V3_L和与所述纵向分量正交的横向分量V3_T，

所述横向分量V2_T与所述横向分量V3_T不同。

4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，

还包含设置于所述载流子阻挡层上的第二导电型覆层，该第二导电型覆层包含第五六方晶系III族氮化物半导体，

所述载流子阻挡层设置于所述第二导电型覆层与所述有源层之间，

所述第五六方晶系III族氮化物半导体与所述第三六方晶系III族氮化物半导体不同，

所述第二导电型覆层产生晶格弛豫。

5.如权利要求4所述的III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，

还包含设置于所述第二导电型覆层与所述有源层之间的第二光导层，该第二光导层包含第六六方晶系III族氮化物半导体，

所述第二导电型覆层的所述晶格弛豫在所述第二光导层上产生。

6.如权利要求4或5所述的III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，所述第二导电型覆层为In_X2Al_Y2Ga_1-X2-Y2N(0≤X2≤0.50、0≤Y2≤0.50)。

7.如权利要求4至6中任一项所述的III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，所述第二导电型覆层的膜厚为300nm以上。

8.如权利要求1至7中任一项所述的III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，所述第一导电型覆层为In_X1Al_Y1Ga_1-X1-Y1N(0≤X1≤0.50、0≤Y1≤0.50)。