[发明专利]非易失性存储器的两遍擦除

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

使用第一擦除电压执行一组非易失性存储元件的第一擦除(804)，所述非易失性存储元件具有作为所述第一擦除的结果的阈值电压分布；

确定所述阈值电压分布内的基准电压(806)；

基于所述第一擦除电压和所述基准电压确定第二擦除电压(808)；以及

使用所述第二擦除电压执行所述一组非易失性存储元件的第二擦除(810)。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对所述一组非易失性存储元件进行编程，以使得基本上所有的所述非易失性存储元件至少具有某一阈值电压，所述编程在执行所述第一擦除之前执行。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述一组非易失性存储元件包括多个NAND串，其中允许某一数目的所述NAND串具有至少一个阈值电压大于所述基准电压的非易失性存储元件，并且其中确定上尾部上的电压包括：

确定第一电压，在所述第一电压处大概所述某一数目的所述NAND串具有至少一个阈值电压大于所述第一电压的存储单元。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其中所述确定基准电压包括：

向所述非易失性存储元件的控制栅施加第一电压；

确定第一计数，所述第一计数基于有多少非易失性存储元件不能响应于所述施加所述第一电压而接通；

向所述非易失性存储元件的控制栅施加第二电压；

确定第二计数，所述第二计数基于有多少非易失性存储元件不能响应于所述施加所述第二电压而接通；以及

基于所述第一计数和所述第二计数确定所述阈值电压分布的上尾部上的电压。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述确定所述基准电压基于在所述第一擦除之后的所述阈值电压分布的预期统计特性。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法，还包括：

基于所述第二擦除电压确定软编程电压；以及

在执行所述第二擦除之后向所述一组非易失性存储元件施加所述软编程电压。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法，其中所述使用所述第二擦除电压执行所述一组非易失性存储元件的第二擦除包括：

在确定所述第二擦除电压之前开始朝着所述第二擦除电压斜线上升。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的方法，其中所述第一擦除电压足够低，以使得在所述第一擦除之后所述阈值电压分布的至少一部分在可测量阈值电压窗内。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的方法，其中所述确定第二擦除电压还基于对于所述第一擦除电压幅度的每单位增加预期所述基准电压偏移多远。

10.一种非易失性存储器件，包括：

一组非易失性存储元件(区块i)；以及

与所述一组非易失性存储元件通信的管理电路(220，244)，所述管理电路使用第一擦除电压执行所述一组非易失性存储元件的第一擦除，所述非易失性存储元件具有作为所述第一擦除的结果的阈值电压分布，所述管理电路确定所述阈值电压分布上的基准电压，所述管理电路基于所述第一擦除电压和所述基准电压确定第二擦除电压，所述管理电路使用所述第二擦除电压执行所述一组非易失性存储元件的第二擦除。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，其中所述管理电路对所述一组非易失性存储元件编程，以使得基本上所有的所述非易失性存储元件至少具有某一阈值电压，所述管理电路在执行所述第一擦除之前对所述组编程。

12.根据权利要求10或11所述的非易失性存储器件，其中所述一组非易失性存储元件包括多个NAND串，允许某一数目的所述NAND串具有至少一个阈值电压大于所述基准电压的非易失性存储元件，并且其中所述管理电路确定第一电压，在所述第一电压处大概所述某一数目的所述NAND串具有至少一个阈值电压大于所述第一电压的存储单元。