[发明专利]离子源有效
| 申请号： | 201080020420.6 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102439683A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·葛特;史费特那·瑞都凡诺;提摩太·J·米勒 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/32;H01J27/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子源 | ||
1.一种离子源，其特征在于，包括：
电弧室，具有萃取孔隙；以及
等离子体鞘调制器，被装配以控制边界的形状，所述边界位于等离子体与接近所述萃取孔隙的等离子体鞘之间。
2.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述等离子体鞘调制器安置于所述电弧室中。
3.根据权利要求2所述的离子源，其特征在于，所述等离子体鞘调制器包括一对绝缘体，所述对绝缘体定义出位于其间的间隙，其中在所述间隙附近的所述边界的所述形状为凹形。
4.根据权利要求3所述的离子源，其特征在于，所述对绝缘体包括一对绝缘片，且所述萃取孔隙具有狭缝形状。
5.根据权利要求3所述的离子源，其特征在于，更包括致动器，机械地耦接至所述对绝缘体的至少一绝缘体，以调整所述间隙的的间隔。
6.根据权利要求3所述的离子源，其特征在于，更包括致动器，机械地耦接至所述对绝缘体，以调整所述对绝缘体的位置。
7.根据权利要求3所述的离子源，其特征在于，所述对绝缘体以石英制成。
8.根据权利要求2所述的离子源，其特征在于，所述等离子体鞘调制器对应经所述萃取孔隙所萃取的离子束的所要求的离子束电流密度而安置。
9.根据权利要求2所述的离子源，其特征在于，所述等离子体鞘调制器对应经所述萃取孔隙所萃取的离子束的离子的所要求的角分散而配置。
10.根据权利要求2所述的离子源，其特征在于，所述等离子体鞘调制器对应经所述萃取孔隙所萃取的离子束的所要求的发射率而配置。
11.根据权利要求2所述的离子源，其特征在于，所述萃取孔隙具有圆形形状，且所述等离子体鞘调制器为具有圆形开口的绝缘片。
12.根据权利要求11所述的离子源，其特征在于，所述绝缘片的所述圆形开口与所述萃取孔隙的所述圆形形状为同心，其中所述圆形开口具有可变直径，所述可变直径对应经所述萃取孔隙所萃取的离子束的所要求的离子束电流密度而设定。
13.一种由离子源产生离子束的方法，其特征在于，包括：
在具有萃取孔隙的离子源的电弧室中产生等离子体；以及
控制边界的形状，所述边界位于所述等离子体与接近所述萃取孔隙的等离子体鞘之间。
14.根据权利要求13所述的由离子源产生离子束的方法，其特征在于，所述控制操作包括将等离子体鞘调制器安置于所述电弧室中。
15.根据权利要求14所述的由离子源产生离子束的方法，其特征在于，更包括对应经所述萃取孔隙所萃取的离子束的所要求的离子束电流密度而安置所述等离子体鞘调制器。
16.根据权利要求16所述的由离子源产生离子束的方法，其特征在于，更包括对应经所述萃取孔隙所萃取的离子束的所要求的发射率而安置所述等离子体鞘调制器。
17.根据权利要求13所述的由离子源产生离子束的方法，其特征在于，所述控制操作包括创造由一对绝缘体所定义的间隙，其中在所述间隙附近的所述边界的所述形状为凹形。
18.根据权利要求17所述的由离子源产生离子束的方法，其特征在于，更包括调整所述间隙的间隔。
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