[发明专利]铝基材、采用该铝基材的具有绝缘层的金属基板、半导体元件和太阳能电池

权利要求书

1.一种Al基材，所述Al基材在形成用于半导体元件的具有绝缘层的金属基板的方法中使用，所述方法是通过在所述Al基材的至少一个表面上进行阳极氧化而进行的，其特征在于：

仅包含能够通过阳极氧化而阳极化的物质的析出粒子作为Al基体中的析出粒子。

2.如权利要求1所述的Al基材，其特征在于：

所述阳极化的物质是包含Al和Mg中的一种的金属间化合物。

3.如权利要求1和权利要求2中任一项所述的Al基材，其特征在于：

基本上不包含金属Si作为所述Al基材中的析出粒子。

4.一种具有绝缘层的金属基板，其特征在于：

阳极化膜，所述阳极化膜是通过在如权利要求1-3中任一项所述的Al基材的至少一个表面上进行阳极氧化而在所述Al基材的所述至少一个表面上形成的。

5.一种半导体元件，其特征在于包括：

如权利要求4所述的具有绝缘层的金属基板；

设置在所述金属基板上的半导体层；和

用于对所述半导体层施加电压的至少一对电极。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于：

所述半导体是具有光电转换功能的光电转换元件，其中由吸收光的所述半导体层产生电流。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于：

所述半导体层的主要组分是具有至少一种黄铜矿结构的化合物半导体。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于：

所述半导体的主要组分是至少一种包含Ib族元素、IIIb元素和VIb元素的化合物半导体。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于：

所述半导体的主要组分是至少一种包含以下元素的化合物半导体：

选自由Cu和Ag组成的组中的至少一种Ib族元素；

选自由Al、Ga和In组成的组中的至少一种IIIb族元素；和

选自由S、Se和Te组成的组中的至少一种VIb族元素。

10.一种太阳能电池，其特征在于配备有如权利要求6-9中任一项所述的半导体元件。

11.一种用于制备Al基材的方法，所述方法包括以下步骤：

准备Al基材；

对所述Al基材进行熔体处理以获得Al锭；

在低于Si-Al的共结晶温度的温度下等温加热所述Al锭；

将所述Al锭冷却至能轧制的温度；

轧制所述Al锭；

在低于所述共结晶温度的温度下对经轧制的Al进行热处理；

将经热处理的Al基材冷轧以获得Al基板；和

从所述Al基板的至少一个表面侧对所述Al基板进行阳极氧化。