[发明专利]贴合晶片的制造方法

权利要求书

1.一种贴合晶片的制造方法，其包括下述步骤：

从施主基板的表面向所述施主基板注入离子，形成离子注入界面；

在所述施主基板的进行了离子注入的所述表面上，贴合热膨胀系数比所述施主基板大的操作基板，制成贴合基板；

对所述贴合基板进行热处理，制成接合体；和

当所述接合体冷却到室温以下的温度后，在所述离子注入界面上剥离所述接合体的所述施主基板，将施主膜转印到所述操作基板上。

2.根据权利要求1所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，在剥离工序中所述室温以下的温度为-50℃以下。

3.根据权利要求1或2所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，

所述施主基板的材料是硅，且

所述操作基板的材料是从氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅、硅铝氧氮耐热陶瓷和氮化镓中选择的一种。

4.根据权利要求1或2所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，

在剥离工序中将所述接合体冷却到室温以下的温度是通过将所述接合体放置在所述铝块上、并用干冰冷却铝块周围进行的。

5.根据权利要求1或2所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，

在剥离工序中的所述剥离利用在以1MPa以上的压力向贴合界面喷吹气体或液体等的流体射流时，在相反方向拉动所述施主基板和所述操作基板来进行。