[发明专利]用于碳纳米管合成的紧密接近催化的方法和系统

权利要求书

1.一种碳纳米管合成方法，包括：

在生长室内提供与含有催化剂的第一板的表面紧密接近的基底；

加热所述生长室至足以引起催化剂颗粒从所述第一板转移到所述基底的温度；和

通过引导原料气至所述基底在所述基底上生长碳纳米管。

2.如权利要求1所述的方法，包括第二板；其中在所述第一板和所述第二板之间放置所述基底。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二板包括催化剂。

4.如权利要求1所述的方法，其中在加热前所述板被粗糙化。

5.如权利要求4所述的方法，包括在加热前粗糙化所述板。

6.如权利要求1所述的方法，包括在加热前确保所述生长室包含惰性环境。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述催化剂包括过渡金属。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述金属包括铜。

9.一种碳纳米管合成系统，包括：

生长室；

配置以加热所述生长室的加热器；

包括催化剂的第一板，其中所述第一板被配置为安装在所述生长室内，并且其中所述第一板的表面面向基底；和

基底，其被配置为紧密接近所述第一板的表面安装。

10.权利要求9所述的系统，包括第二板，其中所述第二板被配置为安装在所述生长室内，其中所述第一板的表面面向所述第二板的表面，并且其中所述基底被配置为安装在所述第一板和第二板之间，并且与所述第二板的表面紧密接近。

11.权利要求10所述的系统，其中所述第二板包括催化剂。

12.权利要求9所述的系统，其中所述生长室被配置为接收惰性气体。

13.权利要求12所述的系统，包括与所述生长室连通的惰性气体源。

14.权利要求9所述的系统，其中所述生长室被配置为接收原料气。

15.权利要求14所述的系统，其中所述原料气包括乙炔。

16.权利要求9所述的系统，其中所述催化剂包括过渡金属。

17.权利要求9所述的系统，其中所述板的表面被粗糙化。

18.权利要求9所述的系统，其中所述紧密接近包括表面接合。

19.权利要求9所述的系统，其中所述催化剂包括铜。

20.权利要求9所述的系统，其中所述催化剂选自铁、镍、钴、钼、及其合金。