[发明专利]用于校准位置测量设备的方法和校准掩模有效
| 申请号: | 201080018981.2 | 申请日: | 2010-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN102414615A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
| 发明(设计)人: | 诺伯特.克威恩;约琴.赫茨勒 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMS有限责任公司 |
| 主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/44;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 校准 位置 测量 设备 方法 | ||
1.一种校准掩模(40),用于校准用于光刻掩模(12)上的测量结构(14)的位置测量的设备,其中,所述校准掩模(40)包括衍射结构(42),针对所述衍射结构(42)的干涉位置测量,构造所述衍射结构(42)。
2.如权利要求1所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)被构造来用于使所述衍射结构(42)相对于彼此的位置的干涉测量达到小于2nm的精度。
3.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)总共覆盖超过50%的可用掩模区。
4.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其具有至少1000个所述衍射结构(42)。
5.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)分别被构造为衍射光栅(42a、42b、42c)。
6.如权利要求5所述的校准掩模,其中,各个独立衍射光栅(42a、42b、42c)的光栅元件(46a、46b、46c、48c)相对于相邻光栅元件的距离小于1.5μm。
7.如权利要求5或6所述的校准掩模,其中,各个独立衍射光栅(42a、42b、42c)的光栅元件(46a、46b、46c、48c)被布置为相对于彼此具有小于3μm的周期距离。
8.如权利要求5至7中的任一项所述的校准掩模,其中,每个衍射光栅(42a、42b、42c)具有至少100个光栅元件(46a、46b、46c、48c)。
9.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)各自在至少一个空间方向上具有超过200μm的范围。
10.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)被构造为用于在利特罗反射中反射入射角大于1°的可见光。
11.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)各自具有棋盘式光栅(42b)。
12.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)各自包括多个不同定向的一维线光栅(44)。
13.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)包括环形光栅(42c),其具有多个同心圆(46c)和/或相对于中心点的多个径向线(48c)。
14.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其中,所述衍射结构(42)被构造为用于衍射可见光和/或更高频率波长范围中的光。
15.如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模,其除了所述些衍射结构(42)之外还具有要被光刻地成像到晶片上的产品结构。
16.一种校准掩模组,包括多个如前述权利要求中的任一项所述的校准掩模(40),其中,不同校准掩模(40)的衍射结构(42)在结构类型上不同。
17.如权利要求16所述的校准掩模组,其中,不同的结构类型在几何形状和/或尺寸上不同。
18.如权利要求16或17所述的校准掩模组,其中,所述不同的结构类型在产生所述衍射结构(42)的方法上不同。
19.如权利要求18所述的校准掩模组,其中第一结构类型的衍射结构(42)由电子束写入产生,第二结构类型的衍射结构(42)由全息曝光产生。
20.一种包括用于光刻掩模(12)上的测量结构(14)的位置测量的设备(10)以及如权利要求1至15中的任一项所述的校准掩模(40)的布置。
21.一种校准掩模(40)的用途,其中,所述校准掩模(40)包括布置在其上的衍射结构(42),用于校准用于光刻掩模(12)上的测量结构(14)的位置测量的设备(10);其中,针对所述衍射结构(42)的干涉位置测量构造所述衍射结构(42)。
22.如权利要求21所述的校准掩模(40)的用途,其中,根据权利要求1至15中的任一项构造所述校准掩模(40)。
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