[发明专利]磁记录介质、信息存储装置和磁记录介质的制造方法无效
| 申请号： | 201080018756.9 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102414747A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 吉田祐树 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 介质 信息 存储 装置 制造 方法 | ||
1.一种磁记录介质，其特征在于，具有磁性记录层，所述磁性记录层包含：
作为伺服区域内的数据部且被作为图案部形成的第一磁性层，
与上述第一磁性层的磁化方向反平行磁化并且矫顽力比上述第一磁性层的矫顽力低、且被作为非图案部形成的第二磁性层，和
在上述第一磁性层和第二磁性层之间形成的非磁性层。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，上述非磁性层由Ru形成。
3.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，上述第一磁性层和上述第二磁性层是强磁性材料。
4.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，上述第一磁性层和上述第二磁性层是Co合金。
5.一种信息存储装置，其特征在于，具有磁记录介质、和对上述磁记录介质进行数据读写处理的磁头，所述磁记录介质具有磁性记录层，所述磁性记录层包含：
作为伺服区域内的数据部且被作为图案部形成的第一磁性层，
与上述第一磁性层的磁化方向反平行磁化并且矫顽力比上述第一磁性层低、且被作为非图案部形成的第二磁性层，和
在上述第一磁性层和第二磁性层之间形成的非磁性层。
6.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
将与伺服区域内的被作为图案部形成的第一磁性层的磁化方向反平行磁化、并且矫顽力比上述第一磁性层的矫顽力低的第二磁性层作为非图案部形成的图案形成工序，以及
在上述第一磁性层和通过上述图案形成工序形成的第二磁性层之间形成作为非磁性材料的非磁性层的非磁性层形成工序。
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