[发明专利]用于沉积和外延剥离过程的平铺衬底

权利要求书

1.一种砷化镓衬底组件，包括：

支撑衬底，其包含在大约5×10^-6℃^-1到大约9×10^-6℃^-1的范围内的热膨胀系数；

粘附层，其布置在所述支撑衬底上；和

至少两个砷化镓生长衬底，其分开布置在所述粘附层上并且彼此邻近，其中间隙在所述砷化镓生长衬底之间延伸并且将所述砷化镓生长衬底彼此分离。

2.如权利要求1所述的砷化镓衬底组件，其中所述热膨胀系数在大约5.2×10^-6℃^-1到大约8.5×10^-6℃^-1的范围内。

3.如权利要求1所述的砷化镓衬底组件，其中所述至少两个砷化镓生长衬底包括4个或者4个以上砷化镓生长衬底。

4.如权利要求3所述的砷化镓衬底组件，其中所述至少两个砷化镓生长衬底包括12个或者12个以上砷化镓生长衬底。

5.如权利要求1所述的砷化镓衬底组件，其中所述支撑衬底包括从由下列项构成的组中选择的材料：铌、铌合金、碳化钛、硅酸镁、滑石、碳化钨、碳化钨金属陶瓷、铱、氧化铝、氧化铝陶瓷、锆、锆合金、氧化锆、碳化锆、锇、钽、铪、钼、钼合金、其氧化物、其硅酸盐、其合金、其衍生物、和其组合。

6.如权利要求1所述的砷化镓衬底组件，其中所述支撑衬底没有孔隙或者实质上没有孔隙。

7.如权利要求1所述的砷化镓衬底组件，其中所述支撑衬底对氟化氢或者氢氟酸有抗腐蚀性或者实质上有抗腐蚀性。

8.如权利要求1所述的砷化镓衬底组件，其中所述粘附层包括光学粘合剂或者紫外光固化粘合剂。

9.如权利要求8所述的砷化镓衬底组件，其中所述粘附层包括巯基酯化合物。

10.如权利要求9所述的砷化镓衬底组件，其中所述粘附层还包括从由下列项构成的组中选择的材料：邻苯二甲酸丁辛酯、甲基丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸酯单体、其衍生物、和其组合。

11.如权利要求1所述的砷化镓衬底组件，其中所述粘附层包括硅酮或者硅酸钠。

12.一种砷化镓衬底组件，包括：

粘附层，其布置在支撑衬底上；和

至少两个砷化镓生长衬底，其分开布置在所述粘附层上并且彼此邻近，其中所述支撑衬底包括在大约650℃或者更低的温度在所述砷化镓生长衬底内提供大约0.1％或者更小的最大应变的热膨胀系数，并且间隙在所述砷化镓生长衬底之间延伸并且将所述砷化镓生长衬底彼此分离。

13.如权利要求12所述的砷化镓衬底组件，其中所述热膨胀系数为大约9×10^-6℃^-1或者更小。

14.如权利要求13所述的砷化镓衬底组件，其中所述热膨胀系数在大约5×10^-6℃^-1到大约8×10^-6℃^-1的范围内。

15.如权利要求12所述的砷化镓衬底组件，其中所述热膨胀系数在大约5.2×10^-6℃^-1到大约8.5×10^-6℃^-1的范围内。

16.如权利要求12所述的砷化镓衬底组件，其中所述至少两个砷化镓生长衬底包括4个或者4个以上砷化镓生长衬底。

17.如权利要求16所述的砷化镓衬底组件，其中所述至少两个砷化镓生长衬底包括12个或者12个以上砷化镓生长衬底。

18.如权利要求12所述的砷化镓衬底组件，其中所述支撑衬底包括从由下列项构成的组中选择的材料：铌、铌合金、碳化钛、硅酸镁、滑石、碳化钨、碳化钨金属陶瓷、铱、氧化铝、氧化铝陶瓷、锆、锆合金、氧化锆、碳化锆、锇、钽、铪、钼、钼合金、其氧化物、其硅酸盐、其合金、其衍生物、和其组合。